一、整机简述： 特点/用途 该设备主机与控制一体化设计，PLC触摸屏控制，操控方便，结构紧凑，占地小；设备广泛应用于高校、科研院所的教学、科研实验以及生产型企业前期探索性实验及开发新产品等，深受广大用户好评； JCP350高真空多靶磁控溅射镀膜机，可单靶独立、多靶轮流和组合向心共溅射；各溅射靶及基片台均配独立挡板，保证镀膜的工艺性（预溅射、多层膜、掺杂、防止交叉污染和干扰等）；设备样品台可加负偏压对样品进行等离子清洗活化、辅助溅射功能。 该设备主要用来开发纳米级单层及多层的金属导电膜（可选配强磁靶镀磁性材料薄膜）、半导体膜以及陶瓷绝缘薄膜等。 二、设备主要技术参数： 1.真空腔室 φ350×H350mm，304优质不锈钢真空腔室； 2.真空系统 复合分子泵+直联旋片泵+高真空气/电动阀门高真空系统，数显复合真空计； 3.真空极限 极限真空优于6.6×10-5Pa（设备空载抽真空24小时）； 4.漏率 设备升压率≤0.8Pa/h； 设备保压：停泵12小时候后，真空≤10Pa； 5.抽速 （空载）从大气抽至5.0×10-3Pa≤15min； 6.基片台尺寸 Φ120mm范围内可装卡各种规格基片； 7.基片台旋转与加热 基片旋转：0～20转/分钟； 加热:室温～500±1℃，可控可调，日本岛电PID智能温控闭环控温； 8.溅射靶 2英寸磁控靶，2只；两靶共焦溅射，另预留1只靶位； 兼容直流/射频电源溅射； 标配直流/射频溅射各1台；磁控靶配有气动挡板结构； 9.工作方式 各靶可独立/顺次/共同工作，采用磁控靶从下向上溅射镀膜； 10.膜厚不均匀性 ≤±5%（基片台Φ75mm范围内）； 11.控制方式 PLC+触摸屏人机界面半自动控制系统； 12.报警及保护 对泵、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施；完善的逻辑程序互锁保护系统； 13.占地 (主机）L1600mm×W800mm×H1920mm。