一、整机简述： 特点/用途 JCP200设备设备体积小，真空获得快，功能强大，使用成本低；PLC触摸屏控制，操控方便该设备标配1只平面靶，另预留1对蒸发电极接口，能够溅射蒸发两用（磁控溅射与蒸发镀不能同时进行）； 该设备主要用来开发纳米级导电膜、半导体膜、绝缘膜等，基片台加负偏压可实现基片反溅清洗功能;非常适合于大专院校的教学、科研之用。 二、设备主要技术参数： 1.真空腔室 Ф220×H300mm，不锈钢上开盖结构； 2.真空系统 涡轮分子泵+直联旋片泵,电动真空阀门，“一低一高”数显复合真空计； 3.真空极限 优于8.0×10-5Pa（设备空载抽真空24小时）； 4.抽速 从大气抽至6.0×10-3Pa≤15min； 5.漏率 设备升压率≤0.8Pa/h； 设备保压：停泵12小时候后，真空≤10Pa； 6.可镀膜尺寸 2英寸1片，散片若干；  7.基片加热与旋转 衬底加热：室温～500℃，自动测温，PID控温； 基片旋转：0-20转/分钟，可调可控； 8.溅射靶规格 2英寸圆形平面靶1只，另预留1对蒸发电极接口； 9.膜厚不均匀性 ≤±5%(Ф50mm范围内)； 10.控制方式 PLC触摸屏控制； 11.循环水机 制冷量2.8kW；（选配） 12.报警及保护  对泵、靶、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施； 13.占地面积 长×宽×高: 1670×1640×1900mm；