真空极限：溅射室：8.0×10-5Pa（空载，经烘烤除气后）； 抽速：溅射室（空载）从大气抽至4.0×10-4Pa≤30min； 基片台尺寸:Φ120mm范围内可装卡各种规格基片； 溅射室腔体加热：可实现溅射室内环境加热，加热温度室温～300℃；

特点/用途： 磁控溅射设备主要由进样室、溅射室、永磁磁控溅射靶、脉冲偏压电源、样品台、样品台加热、真空系统、真空测量系统、气路系统、PLC+工控机+液晶屏全自动控制系统等组成。该设备操控方便；结构紧凑，占地面积小。 磁控溅射设备用于纳米量级复合膜、多层膜等制备；适用于三靶单独溅射、依次溅射、共同溅射；可溅射磁性材料；适用于制备金属膜、合金膜、半导体膜、陶瓷膜等。 基于该设备，离子源清洗装置在Load-lock室，样品先经过清洗，在由送样系统传递到真空溅射腔室，进行下一步的溅射镀膜。