等离子增强化学气相沉积实验系统 极限真空：≤6.67x10-5 Pa (经烘烤除气后)； 频率： 13.56MHz； 控制方式：手动逻辑控制； 气路系统：4路进气及不锈钢管路、截止阀等；    设备主要用途： 该系列设备应用等离子体化学气相沉积技术，主要用来制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电及金属膜。等离子增强化学气相沉积可以较大幅度地降低沉积反应的温度，使其在热稳定性差的基底表面上进行沉积成为可能。反应温度的降低还可以有效抑制器件制作过程中的层间扩散。沉积温度的降低，还可以降低热应力失配。 设备的主要技术参数: