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双腔体粉末及Wafer等离子体ALD
报价:面议
品牌: 韫茂科技
产地: 福建
关注度: 2266
型号: QBT-T
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产品介绍

双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T


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原子层沉积(Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术,具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。 


产品描述


厦门韫茂科技公司的双腔体等离子体原子层沉积系统(QBT-T),设备采用双腔体设计,腔体之间可实现独立控制,双倍产出。腔体分别为PEALD腔室,粉末ALD腔室。由于双腔体双功能的独特设计,使设备可以在平片上实现等离子体ALD的生长工艺以及粉末ALD包覆工艺,设备配有独立控制的300℃完整加热反应腔室系统,保证工艺温度均匀。该系统具有**粉末样品桶、晶圆载盘、全自动温度控制、ALD前驱体源钢瓶、自动温度控制阀、工业级安全控制,以及现场RGA、QCM、臭氧发生器、手套箱、极片架等设计选项。是先进能源材料、催化剂材料、新型纳米材料,半导体领域研究与应用的**研发工具之一。


主要技术参数


QBT-T 技术参数 Technical Specifications (TiN, ZnO, Al2O3, TiO2等制备)
腔体双腔体设计(1个硅片PEALD腔室,1个粉末ALD腔室),每个腔体独立控制,双倍产出
等离子体 Plasma**3kW RF自匹配电源
**基板尺寸Max Wafer SizeФ150mm (可定制)
高精准样品加热控制 Wafer HeatingRT-300±1℃
前驱体 Max Precursor**可包括3组等离子体反应气体 8组液态或固态反应前驱体, Max 3 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors 
臭氧发生器Ozone Generator可选配,生产效率15g/h
人机界面 HMI全自动化人机操作界面
安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO








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厦门韫茂科技有限公司为您提供韫茂科技双腔体粉末及Wafer等离子体ALD,双腔体粉末及Wafer等离子体ALD产地为福建,属于实验设备,除了双腔体粉末及Wafer等离子体ALD的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供公斤级粉末ALD、超高真空多腔体磁控溅射系统、公斤级粉体原子层沉积镀膜系统。
工商信息
企业名称

厦门韫茂科技有限公司

企业类型

信用代码

91350200MA31JEYQ4Y

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