1、产品信息

• Ge2Te3是一种窄带隙半导体,在室温下带隙能约为0.8 eV。

• 它具有优异的光学特性,在可见光和近红外波段有较高的光吸收系数。

• Ge2Te3还表现出良好的热稳定性,在高温下相对稳定,有利于高温光电器件应用。

• 此外,Ge2Te3还具有相变特性,可用于制造相变存储器等器件。

2、产品规格

1、样品测试包装客户指定（＜1kg/袋装）

2、样品产品包装（1kg/袋装）

3、常规产品包装（1kg/2kg/5kg/10kg）

备注：内：充惰性气体 外：铝箔袋真空。可根据客户要求指定包装。

3、产品概述

产品通过“选用净化原料+生产纯化工艺+品控智能控制”制备生成，产品具有技术含量高、晶相纯、磁性异物少、含水量低、化学性能稳定的特点。

4、产品用途

• 主要用于制造相变存储器、热光学开关、光学存储介质等光电子器件。

• 还可用作红外探测器、热成像传感器、光纤通信等光电功能材料。

• 此外,Ge2Te3还是一种重要的化合物半导体材料,在光伏电池和热电器件等领域有应用价值。