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砷化铟 InAs 合金粉末
报价:面议
品牌: | 上海研倍 |
产地: | 上海 |
关注度: | 178 |
型号: | YB-FM-InAs |
核心参数
密度(kg/m³):5.6-5.8 g/cm³
形状:不规则状
纯度:99.99%~99.999%
目数:可定制
品级:4N-5N
制作方法:气相沉积法
产品介绍
1、产品信息
InAs 是一种直接带隙半导体材料,在常温下为固体结晶。
它具有较高的熔点(942°C)和沸点(3,444°C),热稳定性良好。
InAs 为共价键化合物,在常温下不溶于水,具有一定的化学稳定性。
此外,InAs 还表现出优异的电子和光学特性,是制造红外光电子器件的理想材料。
2、产品规格
1、样品测试包装客户指定(<1kg/袋装)
2、样品产品包装(1kg/袋装)
3、常规产品包装(1kg/2kg/5kg/10kg)
备注:内:充惰性气体 外:铝箔袋真空。可根据客户要求指定包装。
3、产品概述
产品通过“选用净化原料+生产纯化工艺+品控智能控制”制备生成,产品具有技术含量高、晶相纯、磁性异物少、含水量低、化学性能稳定的特点。
4、产品用途
主要用作III-V族化合物半导体器件(如高电子迁移率晶体管、激光器、光探测器)的活性层材料。
还可用于制造近红外发光二极管、太阳能电池、光纤通信等光电功能器件。
此外,InAs 还是制备其他III-V族化合物的前驱体,在光电子和微电子领域有广泛应用前景。
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工商信息
企业名称
上海研倍新材料科技有限公司
企业类型
信用代码
91310000MACUKKAG41
法人代表
注册地址
成立日期
注册资本
有效期限
经营范围