1 年

金牌会员

已认证

日本 TOHO 东朋 HL9900 霍尔效应测量装置 硅/化合物半导体新品
报价:300元
品牌:
产地: 日本
关注度: 15
型号: HL9900
标签

森泽测量/计量仪器

森泽HL9900

国产测量/计量仪器

展位推荐
更多  
产品介绍

image.png

HL9900是一种高性能的霍尔效应测试系统,能够用于测量半导体的电阻率、载流子浓度以及迁移率。它采用模块化设计,便于升级。该系统适用于硅、化合物半导体等各种材料的测试。


HL9900是什么?

image.png

HL9900是一款高性能霍尔效应测试系统,能够测量半导体中的电阻率(p)、载流子浓度(N)以及迁移率(x)。由于其模块化设计,该设备易于升级,适用于硅、化合物半导体、金属氧化物膜等各种材料的测试。
它具备测量低电阻值和高电阻值的功能,同时还有双温度控制功能,再加上可选的低温保持装置,使得其测量温度范围可从90K以下扩展到500K。


(特征①)测量样本的形状与尺寸

样品的形状有多种,但通常都与图中所示的某种形状相似。在测量样品时,需要满足的主要条件是:触点(欧姆接触点)的尺寸要足够小,并且要均匀地分布在圆周上;同时,样品的厚度也必须保持一致。建议采用三叶草形状(B)或希腊十字形状(C)作为样品的几何结构。因为这样的设计能够降低触点尺寸和分布对测量结果的影响,从而将rs和RH的误差降低。
除了可用于范德帕乌形状(VDP)的霍尔效应测量外,东朋科技公司的霍尔效应系统还具备测量霍尔棒形状样品的功能。这种几何结构非常适合用于研究具有各向异性特性或电阻率较低的块状材料。

image.png

(特征②)缓冲放大器/高阻抗模块

image.png

HL9980具备高阻抗缓冲放大器/电流源功能,其电阻率测量精度可达到100 GΩ/平方,同时还能将电流强度降至1 pA。通过将模块靠近样品,并使用驱动防护装置,可以大限度地减少电缆电容带来的影响。该产品还配有专用的屏蔽样品架(仅适用于室温环境下的使用)。

(特征③)可变式温度调节模块

image.png

HL9950可变温度调节模块采用了水平连续流动式液氮冷却设计,因此能够实现从90K到500K(-183℃到227℃)范围内的温度测量。此外,该模块还配备了排气功能,可用于去除可能影响测量结果的湿气。该可变温度调节模块可以轻松地安装在磁铁的极片之间。HL9920型体视显微镜还配备了用于放置探针的显示窗口/光学窗口,通过这些窗口还可以进行光激发实验。HL9950与HL9980型阻抗缓冲放大器具有完全的兼容性;当将缓冲放大器与可变温度调节模块结合使用时,一旦样品电流低于0.1 µA,系统就会自动切换到测量模式。


(特征④)可进行交流电测量

image.png

东朋霍尔效应测量系统通过施加交流偏压,从而能够实现交流条件下的霍尔效应测量。利用这一功能,就可以对电阻极低的材料进行检测。例如,它适用于掺杂浓度较高的材料、厚度较大的块状材料等。尤其适合那些迁移率极高的材料,或是那些不适合加热处理的材料(即在低温条件下工作的材料)。


用途・应用

1材料特性评估

通过对样品施加电场和温度,可以研究半导体的输运现象。

可以研究能带的形成以及半导体的施主能级和受主能级。

可以研究用于定义载流子迁移率的载流子散射机制。

通过测量电阻率、面电阻、霍尔系数、多数载流子的迁移率以及面载流子和载流子密度,可以评估材料的性能。


2外延生长的优化

通过测量载流子迁移率,可以了解外延材料的品质。

载流子密度的测量对于分析器件结构至关重要。

通过霍尔效应测试,能够为外延工程师提供直接反馈,帮助他们明确“接下来应该做什么”,从而提升材料的品质与器件的性能。


3改进外延生长工艺

霍尔效应测量是一种能够准确且简便地校准MBE或MOCVD系统掺杂率的方法。

通过霍尔效应检测进行杂质分析,有助于提升MBE或MOCVD系统中的外延工艺质量。

霍尔效应测量作为一种辅助手段,用于补充CV、ECV、SIMS或光致发光(P/L)测试。


产品系列·概述规格

标准型号HL9900

型号

HL9900

电流范围

100纳安–19.9毫安

输出阻抗

1010Ω

输入阻抗

1010Ω

输入漏电流

每次输入20nA

接点切换

FET

缓冲放大器HL9980

型号

HL9980

电流范围

1皮安 – 10微安

输出阻抗

1013Ω

输入阻抗

1015
1015 Ω并列入力3pF

输入漏电流

每次输入70fA

接点切换

干芦苇

低温恒温箱HL9950

型号

HL9950

电流范围

100纳安 – 19.9毫安

输出阻抗

1010Ω

输入阻抗

1010Ω

输入漏电流

每次输入20nA

接点切换

FET

温度

90K – 500K(-183℃ – 227℃)


问商家
相关产品
更多  
产品小贴士

日本 TOHO 东朋 HL9900 霍尔效应测量装置 硅/化合物半导体由深圳森泽工业品有限公司提供,产地为日本,属于进口测量/计量仪器,符合多项国家和国际标准,广泛应用于食品/饮料、石油/化工、矿业/冶金、轻工业、能源等领域,日本 TOHO 东朋 HL9900 霍尔效应测量装置 硅/化合物半导体凭借其创新性与实用性,在测量/计量仪器用户中获得广泛关注。

据中国粉体网显示:该产品已通过粉体网认证,在产品性能、服务能力等维度表现优异,用户平均评分达9.5(满分 10 分)。

根据森泽官方产品资料显示:日本 TOHO 东朋 HL9900 霍尔效应测量装置 硅/化合物半导体的价格为300元,具体型号是HL9900 。

在同系列产品中,您还可以选择以下型号:
产品名称 品牌 型号 产地类型 价格
日本TEKHNE 露点仪 TK-100 进口 300元
日本KANSAI 重锤连续式物位计 KSL系列 KSL系列 进口 300元
铁粉浓度计SDM-72 SDM-72 国产 300元

官方链接:
https://m.cnpowder.com.cn/ns36777/productsdetail_396026.html
来源:深圳森泽工业品有限公司
推荐产品 供应产品
深圳森泽工业品有限公司为您提供日本 TOHO 东朋 HL9900 霍尔效应测量装置 硅/化合物半导体,日本 TOHO 东朋 HL9900 霍尔效应测量装置 硅/化合物半导体产地为日本,属于测量/计量仪器,除了日本 TOHO 东朋 HL9900 霍尔效应测量装置 硅/化合物半导体的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供日本 Fujiwork 超高精度薄膜测厚仪 HKT‑Master0.01AA/BB 静电卡盘用、日本 Micro‑tec ESC‑500 静电夹具专用丝网印刷机 半导体静电卡盘、日本 Fujiwork FT‑D200(H) 薄膜厚度连续测量仪 静电卡盘用。
工商信息
企业名称

深圳森泽工业品有限公司

企业类型

信用代码

91440300MAKDH8EP3N

法人代表

注册地址

成立日期

注册资本

有效期限

经营范围

分类

留言咨询

留言类型

需求简述

联系信息

联系人

单位名称

电子邮箱

手机号

图形验证码

点击提交代表您同意《用户服务协议》《隐私协议》