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碳化硅籽晶衬底
报价:面议
品牌: 思莱克
产地: 上海
关注度: 802
型号: 碳化硅籽晶衬底
标签

碳化硅粉

碳化硅籽晶衬底

国产碳化硅粉

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产品介绍

碳化硅籽晶衬底的信息介绍

碳化硅籽晶衬底是制备碳化硅单晶的关键材料,用于PVT法生长单晶的模板,未抛光,可复用。具有高硬度(莫氏硬度约9.5)、高熔点(约2700℃)、宽带隙(2.3-3.3 eV),在高温、强酸/强碱环境下化学性质稳定等特性。

碳化硅籽晶衬底的特点优势

原子级平整表面

(Ra<0.5nm)

晶型高度可控

(4H/6H-SiC为主)

大尺寸化

(6/8英寸)

减少外延生长缺陷,提升器件良率。

单一晶型(如4H-SiC)确保电子迁移率**,降低导通损耗。

6/8英寸量产,单位面积芯片成本降低30%以上。


碳化硅籽晶衬底的工艺应用

在单晶生长过程中,籽晶是实现高质量晶体生长的关键因素。引导气相中的 Si 和 C 原子按照预设方向逐层堆积,确保晶体沿单一晶向生长,从而控制晶体缺陷的产生。在物理气相传输(PVT)法生长碳化硅单晶时,将籽晶置于高温石墨坩埚顶部,底部的碳化硅粉料升华后,气态原子在温度梯度作用下向籽晶表面移动,在籽晶的引导下有序结晶,逐渐生长出碳化硅单晶,这一过程中碳化硅籽晶衬底的质量,决定了*终晶体的质量与性能。

碳化硅籽晶衬底的相关展示

碳化硅籽晶衬底的技术参数

8英寸N型碳化硅籽晶衬底-产品规格
属性规格单位
ABC
直径200±0.5mm
厚度500(-50,100)μm
弯曲度≤60≤70≤80μm
总厚度偏差≤6≤12≤15μm
位错密度-TSD≤250≤350无要求/cm2
位错密度-TED≤5500≤6500无要求/cm2
电阻率0.010-0.030Ω .cm
表面粗糙度(C)<0.2nm
微管密度≤0.15≤0.2≤0.5/cm2
高强度光检测六边形
高强度光照多型性
高强度光多晶区域
荧光灯检测的边缘缺口



6英寸N型碳化硅籽晶衬底-产品规格
属性规格单位
ABC
直径152.2+0.25/153±0.25mm
厚度500(-50,100)μm
弯曲度≤55≤65≤80μm
总厚度偏差≤4≤6≤8μm
位错密度-TSD≤250≤350无要求/cm2
位错密度-TED≤5500≤6500无要求/cm2
电阻率0.010-0.030Ω .cm
表面粗糙度(C)<0.2nm
微管密度≤0.15≤0.2≤0.5/cm2
高强度光检测六边形
高强度光照多型性
高强度光多晶区域
荧光灯检测的边缘缺口
高强度光检测的裂缝



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产品小贴士

碳化硅籽晶衬底由上海思莱克工业科技有限公司提供,产地为上海,属于国产碳化硅粉,符合多项国家和国际标准,广泛应用于石油/化工、矿业/冶金、综合其他等领域,碳化硅籽晶衬底凭借其创新性与实用性,在碳化硅粉用户中获得广泛关注。

据中国粉体网显示:该产品已通过粉体网认证,在产品性能、服务能力等维度表现优异,用户平均评分达9.5(满分 10 分)。

根据官方产品资料显示:碳化硅籽晶衬底的品牌为思莱克。

在同系列产品中,您还可以选择以下型号:
产品名称 品牌 型号 产地类型 价格
碳化硅衬底 思莱克 碳化硅衬底 国产 电议
碳化硅晶体 思莱克 碳化硅晶体 国产 电议
碳化硅衬底1 思莱克 碳化硅衬底1 国产 电议

官方链接:
https://m.cnpowder.com.cn/ns36093/productsdetail_382546.html
来源:上海思莱克工业科技有限公司
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上海思莱克工业科技有限公司为您提供思莱克碳化硅籽晶衬底,碳化硅籽晶衬底产地为上海,属于碳化硅粉,除了碳化硅籽晶衬底的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供碳化硅衬底、碳化硅晶体、碳化硅磨粉机配件。
工商信息
企业名称

上海思莱克工业科技有限公司

企业类型

信用代码

91310000MAEP233G44

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成立日期

注册资本

有效期限

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