炉体

加热系统

真空系统

气氛控制系统

采用高强度、高耐腐蚀性的材料制成，能够承受高温和真空环境下的长期工作。

采用先进的加热技术和材料，提供稳定、均匀的加热环境，确保晶体生长所需的温度条件。

具备高效的真空抽气和保压能力，为晶体生长提供所需的真空环境。

能够精确调节炉内气氛的组成和压力，以满足不同晶体生长的需求。

原料升华控制

气相传输环境

结晶界面优化

中频感应加热（1600℃以上）使SiC原料（粉末或块体）在石墨坩埚内高效升华，形成Si₂C、SiC₂等气相组分。

10⁻³Pa级真空减少杂质干扰，惰性气体分压调节气相传输动力学。

籽晶旋转改善结晶均匀性，坩埚升降调节原料到籽晶间距，维持**生长界面。

晶体生长炉高温加热系统分区温控（±0.1℃精度）通过梯度温度场，确保升华速率稳定。

晶体生长炉的真空与气氛控制系统实时监测气相成分，闭环反馈控制气体流量。

晶体生长炉可控制籽晶杆与坩埚运动，实现0.5mm/h生长速率精度，避免晶体应力缺陷。

原料熔融

籽晶引晶

晶体生长

高纯度多晶硅（或锗）在坩埚中加热至熔点以上（硅：1414℃）形成熔体。

将定向切割的籽晶浸入熔体，缓慢提拉并旋转，诱导熔体沿籽晶结晶方向生长。

通过控制温度梯度、提拉速度（毫米/分钟级）和旋转速度，形成圆柱形单晶锭。

晶体生长炉高温加热系统提供1600℃以上的高温，需均匀加热坩埚。

晶体生长炉控制籽晶运动，提拉速度影响晶体直径和缺陷密度）。旋转方向与坩埚反向旋转以改善均匀性。

晶体生长炉优化温度梯度，减少热应力导致的缺陷。控制坩埚旋转与升降促进熔体对流，提高掺杂均匀性。