技术特点
　　 ●加工碳化硅晶锭（**厚度 3000mm）、带框架的异可加工碳化硅晶锭（**厚度 50000μm）、带框架的异形片及非标准的4/6/8寸SiC晶片；磨轮直径 Φ300mm，**减薄速率 0.9μm/s, 单片磨削时间＜ 5 分钟；
　　●双主轴三工位自动减薄机，在线测量方式（测量范围0-1800μm）/ 离线测量方式（测量范围 0-50000μm）可选；通过手动进行上片、卸片操作和油石手动清洗承片台。
性能指标