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6英寸SiC晶体
报价：面议
| 品牌： |
博雅新材 |
| 产地： |
四川 |
| 关注度： |
15 |
| 型号： |
6英寸SiC晶体 |
产品介绍
眉山天乐半导体6英寸SiC晶体产品标准
6-inch SiC Ingot Specification |
序号
Item | 等级
Grade | 精选级（Z级）
Zero MPD Grade | 工业级（P级）
Production Grade | 测试级（D级）
Dummy Grade |
| 1.晶体参数 Boule Parameters |
| 1.1 | 晶型
Polytype | 4H-N |
| 1.2 | 表面晶向偏离度
Surface orientation error | Off axis：4.0°toward<11-20>±0.5°，On axis:<0001>±0.5° |
| 2.电学参数 Electrical Parameters |
| 2.1 | 掺杂剂
Dopant | Nitrogen |
| 2.2 | 电阻率
Resistivity | 0.015-0.028Ω·cm |
| 3.机械参数 Mechanical Parameters |
| 3.1 | 直径
Diameter | 149.5mm-150.0mm |
| 3.2 | 厚度
Thickness | ≥15mm |
| 3.3 | 主定位边方向
Primary Flat Orientation | {10-10}±5° |
| 3.4 | 主定位边长度 Primary Flat Length | Ingot flat length | 47.5mm±2.0mm |
| Seed flat length | None |
| 4.结构 Structure |
| 4.1 | 微管密度
Micropipe density | ≤0.1cm-2 | ≤0.2cm-2 | ≤15cm-2 |
| 4.2 | 螺位错
TSD | ≤200cm-2 | ≤500cm-2 | ≤1000cm-2 |
| 4.3 | 基平面位错
BPD | ≤400cm-2 | ≤800cm-2 | / |
| 4.4 | 刃位错
TED | ≤2000cm-2 | ≤4000cm-2 | / |
| 5.晶体质量 Ingot Quality |
| 5.1 | 六方空洞
Hex plate | None | Cumulative area ≤0.1% |
| 5.2 | 划痕
Scratches | None | Cumulative length ≤1x wafer diameter |
| 5.3 | 缺口/崩边/裂纹/疵点/沾污 Edge chips/indents/cracks/stains/contamination | None | ≤0.2 mm | ＜3， ≤1mm width and depth |
| 5.4 | 目测包裹物
Visual carbon inclusion | None | Cumulative area ≤0.05% | Cumulative area ≤3% |
| 5.5 | 多型
Polytype areas | None | None | Cumulative area ≤3% |
| 6.边缘轮廓 Edge |
| 6.1 | 边缘裂纹
Edge Cracks | None | None | Cumulative length ≤20mm,
single length ≤2 mm |
| 7.包装 Packaging |
| 7.1 | 晶锭标记
Ingot Marking(carbon side) | Carbon face label |
| 7.2 | 包装
Packaging | 单晶锭包装
Single Ingot Package |
| Notes: None means no request. |
眉山天乐半导体6英寸SiC晶体产品标准
6-inch SiC Ingot Specification |
序号
Item | 等级
Grade | 精选级（Z级）
Zero MPD Grade | 工业级（P级）
Production Grade | 测试级（D级）
Dummy Grade |
| 1.晶体参数 Boule Parameters |
| 1.1 | 晶型
Polytype | 4H-N |
| 1.2 | 表面晶向偏离度
Surface orientation error | Off axis：4.0°toward <11-20>±0.5°，On axis:<0001>±0.5° |
| 2.电学参数 Electrical Parameters |
| 2.1 | 掺杂剂
Dopant | Nitrogen |
| 2.2 | 电阻率
Resistivity | 0.015-0.028Ω·cm |
| 3.机械参数 Mechanical Parameters |
| 3.1 | 直径
Diameter | 149.5mm-150.0mm |
| 3.2 | 厚度
Thickness | ≥15mm |
| 3.3 | 主定位边方向
Primary Flat Orientation | {10-10}±5° |
| 3.4 | 主定位边长度 Primary Flat Length | Ingot flat length | 47.5mm±2.0mm |
| Seed flat length | None |
| 4.结构 Structure |
| 4.1 | 微管密度
Micropipe density | ≤0.1cm-2 | ≤0.2cm-2 | ≤15cm-2 |
| 4.2 | 螺位错
TSD | ≤200cm-2 | ≤500cm-2 | ≤1000cm-2 |
| 4.3 | 基平面位错
BPD | ≤400cm-2 | ≤800cm-2 | / |
| 4.4 | 刃位错
TED | ≤2000cm-2 | ≤4000cm-2 | / |
| 5.晶体质量 Ingot Quality |
| 5.1 | 六方空洞
Hex plate | None | Cumulative area ≤0.1% |
| 5.2 | 划痕
Scratches | None | Cumulative length ≤1x wafer diameter |
| 5.3 | 缺口/崩边/裂纹/疵点/沾污 Edge chips/indents/cracks/stains/contamination | None | ≤0.2 mm | ＜3， ≤1mm width and depth |
| 5.4 | 目测包裹物
Visual carbon inclusion | None | Cumulative area ≤0.05% | Cumulative area ≤3% |
| 5.5 | 多型
Polytype areas | None | None | Cumulative area ≤3% |
| 6.边缘轮廓 Edge |
| 6.1 | 边缘裂纹
Edge Cracks | None | None | Cumulative length ≤20mm,
single length ≤2 mm |
| 7.包装 Packaging |
| 7.1 | 晶锭标记
Ingot Marking(carbon side) | Carbon face label |
| 7.2 | 包装
Packaging | 单晶锭包装
Single Ingot Package |
| Notes: None means no request. |
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- 6英寸SiC晶体使用的注意事项
- 6英寸SiC晶体的说明书有吗？
- 6英寸SiC晶体的操作规程有吗？
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