眉山博雅新材料股份有限公司
  • 博雅新材
    参考报价:电议
    型号:4英寸SiC衬底片
    产地:四川
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  • 详细介绍:


    眉山天乐半导体4英寸SiC衬底片产品标准
    4-inch SiC Substrate Specification
    序号
    Item
    等级
    Grade
    精选级(Z级)
    Zero MPD Grade
    工业级(P级)
    Production Grade
    测试级(D级)
    Dummy Grade
    1.晶体参数 Boule Parameters
    1.1 晶型 Polytype4H-N
    1.2表面晶向偏离度 Surface orientation errorOff axis:4.0°toward <11-20>±0.5°,On axis:<0001>±0.5°
    2.电学参数 Electrical Parameters
    2.1掺杂剂 DopantNitrogen
    2.2电阻率 Resistivity0.015-0.028Ω·cm
    3.机械参数 Mechanical Parameters
    3.1直径 Diameter99.5mm-100.0mm
    3.2厚度 Thickness350μm±15μm350μm±25μm
    500μm±15μm500μm±25μm
    3.3主定位边方向 Primary Flat Orientation
    {10-10}±5°
    3.4主定位边长度 Primary Flat Length32.5mm±2.0mm
    3.5局部平整度 LTV≤2.5μm≤2.5μm≤5μm
    3.6总厚度变化 TTV≤5μm≤5μm≤15μm
    3.7弯曲度**值 BOW≤25μm≤25μm≤40μm
    3.8翘区度 Warp≤25μm≤35μm≤60μm
    3.9正面(硅面)粗糙度(AFM)Front (Si-face) RoughnessRa≤1nm
    4.结构 Structure
    4.1微管密度 Micropipe density≤0.1cm-2≤0.2cm-2≤15cm-2
    4.3螺位错 TSD≤200cm-2≤500cm-2≤1000cm-2
    4.4基平面位错 BPD≤400cm-2≤800cm-2/
    4.5刃位错 TED≤2000cm-2≤4000cm-2/
    5.正面质量 Front Quality
    5.1表面处理 Surface finishCMP
    5.2颗粒 Particle


    5.3划痕 ScratchesNone
    5.4缺口/崩边/裂纹/疵点/沾污 Edge chips/indents/cracks/stains/contaminationNone
    5.5多晶型 Polytype areasNoneNoneCumulative area ≤3%
    5.6正面激光标记 Front marking
    /
    6.背面质量 Back Quality
    6.1背面处理 Back finish
    CMP
    6.2背面划痕 ScaratchesNoneNoneCumulative length ≤1x wafer diameter
    6.3背面缺口/崩边 Back defects edge chip/indentsNone
    6.4背面粗糙度 Back roughnessRa≤0.2 mmRa≤0.2 mmRa≤0.5 mm
    6.5背面激光标记 Back marking
    距离边缘1mm ( from top edge)
    7.边缘轮廓 Edge
    7.1边缘轮廓 Edge exclusion3 mm
    8.包装 Packaging
    8.1激光标记 Laser Marking(carbon side)Carbon face
    8.2包装 Packaging单片或25片包装
    Notes: None means no request.