1 年
高级会员
已认证
6英寸SiC衬底片
报价：面议
| 品牌： |
博雅新材 |
| 产地： |
四川 |
| 关注度： |
16 |
| 型号： |
6英寸SiC衬底片 |
产品介绍
眉山天乐半导体6英寸SiC衬底片产品标准
6-inch SiC Substrate Specification |
序号
Item | 等级
Grade | 精选级（Z级）
Zero MPD Grade | 工业级（P级）
Production Grade | 测试级（D级）
Dummy Grade |
| 1.晶体参数 Boule Parameters |
| 1.1 | 晶型 Polytype | 4H-N |
| 1.2 | 表面晶向偏离度 Surface orientation error | Off axis：4.0°toward<11-20>±0.5°，On axis:<0001>±0.5° |
| 2.电学参数 Electrical Parameters |
| 2.1 | 掺杂剂 Dopant | Nitrogen |
| 2.2 | 电阻率 Resistivity | 0.015-0.028Ω·cm |
| 3.机械参数 Mechanical Parameters |
| 3.1 | 直径 Diameter | 149.5mm-150.0mm |
| 3.2 | 厚度 Thickness | 350μm±15μm | 350μm±25μm |
| 500μm±15μm | 500μm±25μm |
| 3.3 | 主定位边方向 Primary Flat Orientation
| {10-10}±5° |
| 3.4 | 主定位边长度 Primary Flat Length | 47.5mm±2.0mm |
| 3.5 | 局部平整度 LTV | ≤2.5μm | ≤2.5μm | ≤5μm |
| 3.6 | 总厚度变化 TTV | ≤5μm | ≤5μm | ≤15μm |
| 3.7 | 弯曲度**值 BOW | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm |
| 3.8 | 翘区度 Warp | ≤25μm | ≤35μm | ≤60μm |
| 3.9 | 正面(硅面)粗糙度(AFM)Front (Si-face) Roughness | Ra≤0.1nm |
| 4.结构 Structure |
| 4.1 | 微管密度 Micropipe density | ≤0.1cm-2 | ≤0.2cm-2 | ≤15cm-2 |
| 4.3 | 螺位错 TSD | ≤200cm-2 | ≤500cm-2 | ≤1000cm-2 |
| 4.4 | 基平面位错 BPD | ≤400cm-2 | ≤800cm-2 | / |
| 4.5 | 刃位错 TED | ≤2000cm-2 | ≤4000cm-2 | / |
| 5.正面质量 Front Quality |
| 5.1 | 表面处理 Surface finish | CMP |
| 5.2 | 颗粒 Particle |
|
|
|
| 5.3 | 划痕 Scratches | None |
| 5.4 | 缺口/崩边/裂纹/疵点/沾污 Edge chips/indents/cracks/stains/contamination | None |
| 5.5 | 多晶型 Polytype areas | None | None | Cumulative area ≤3% |
| 5.6 | 正面激光标记 Front marking | / |
| 6.背面质量 Back Quality |
| 6.1 | 背面处理 Back finish | CMP |
| 6.2 | 背面划痕 Scaratches | None | None | Cumulative length ≤1x wafer diameter |
| 6.3 | 背面缺口/崩边 Back defects edge chip/indents | None |
| 6.4 | 背面粗糙度 Back roughness | Ra≤0.2 mm | Ra≤0.2 mm | Ra≤0.5 mm |
| 6.5 | 背面激光标记 Back marking | 距离边缘1mm ( from top edge) |
| 7.边缘轮廓 Edge |
| 7.1 | 边缘轮廓 Edge exclusion | 3 mm |
| 8.包装 Packaging |
| 8.1 | 激光标记 Laser Marking(carbon side) | Carbon face |
| 8.2 | 包装 Packaging | 单片或25片包装 |
| Notes: None means no request. |
眉山天乐半导体6英寸SiC衬底片产品标准
6-inch SiC Substrate Specification |
序号
Item | 等级
Grade | 精选级（Z级）
Zero MPD Grade | 工业级（P级）
Production Grade | 测试级（D级）
Dummy Grade |
| 1.晶体参数 Boule Parameters |
| 1.1 | 晶型 Polytype | 4H-N |
| 1.2 | 表面晶向偏离度 Surface orientation error | Off axis：4.0°toward<11-20>±0.5°，On axis:<0001>±0.5° |
| 2.电学参数 Electrical Parameters |
| 2.1 | 掺杂剂 Dopant | Nitrogen |
| 2.2 | 电阻率 Resistivity | 0.015-0.028Ω·cm |
| 3.机械参数 Mechanical Parameters |
| 3.1 | 直径 Diameter | 149.5mm-150.0mm |
| 3.2 | 厚度 Thickness | 350μm±15μm | 350μm±25μm |
| 500μm±15μm | 500μm±25μm |
| 3.3 | 主定位边方向 Primary Flat Orientation
| {10-10}±5° |
| 3.4 | 主定位边长度 Primary Flat Length | 47.5mm±2.0mm |
| 3.5 | 局部平整度 LTV | ≤2.5μm | ≤2.5μm | ≤5μm |
| 3.6 | 总厚度变化 TTV | ≤5μm | ≤5μm | ≤15μm |
| 3.7 | 弯曲度**值 BOW | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm |
| 3.8 | 翘区度 Warp | ≤25μm | ≤35μm | ≤60μm |
| 3.9 | 正面(硅面)粗糙度(AFM)Front (Si-face) Roughness | Ra≤0.1nm |
| 4.结构 Structure |
| 4.1 | 微管密度 Micropipe density | ≤0.1cm-2 | ≤0.2cm-2 | ≤15cm-2 |
| 4.3 | 螺位错 TSD | ≤200cm-2 | ≤500cm-2 | ≤1000cm-2 |
| 4.4 | 基平面位错 BPD | ≤400cm-2 | ≤800cm-2 | / |
| 4.5 | 刃位错 TED | ≤2000cm-2 | ≤4000cm-2 | / |
| 5.正面质量 Front Quality |
| 5.1 | 表面处理 Surface finish | CMP |
| 5.2 | 颗粒 Particle |
|
|
|
| 5.3 | 划痕 Scratches | None |
| 5.4 | 缺口/崩边/裂纹/疵点/沾污 Edge chips/indents/cracks/stains/contamination | None |
| 5.5 | 多晶型 Polytype areas | None | None | Cumulative area ≤3% |
| 5.6 | 正面激光标记 Front marking | / |
| 6.背面质量 Back Quality |
| 6.1 | 背面处理 Back finish | CMP |
| 6.2 | 背面划痕 Scaratches | None | None | Cumulative length ≤1x wafer diameter |
| 6.3 | 背面缺口/崩边 Back defects edge chip/indents | None |
| 6.4 | 背面粗糙度 Back roughness | Ra≤0.2 mm | Ra≤0.2 mm | Ra≤0.5 mm |
| 6.5 | 背面激光标记 Back marking | 距离边缘1mm ( from top edge) |
| 7.边缘轮廓 Edge |
| 7.1 | 边缘轮廓 Edge exclusion | 3 mm |
| 8.包装 Packaging |
| 8.1 | 激光标记 Laser Marking(carbon side) | Carbon face |
| 8.2 | 包装 Packaging | 单片或25片包装 |
| Notes: None means no request. |
眉山天乐半导体6英寸SiC衬底片产品标准
6-inch SiC Substrate Specification |
序号
Item | 等级
Grade | 精选级（Z级）
Zero MPD Grade | 工业级（P级）
Production Grade | 测试级（D级）
Dummy Grade |
| 1.晶体参数 Boule Parameters |
| 1.1 | 晶型 Polytype | 4H-N |
| 1.2 | 表面晶向偏离度 Surface orientation error | Off axis：4.0°toward <11-20>±0.5°，On axis:<0001>±0.5° |
| 2.电学参数 Electrical Parameters |
| 2.1 | 掺杂剂 Dopant | Nitrogen |
| 2.2 | 电阻率 Resistivity | 0.015-0.028Ω·cm |
| 3.机械参数 Mechanical Parameters |
| 3.1 | 直径 Diameter | 149.5mm-150.0mm |
| 3.2 | 厚度 Thickness | 350μm±15μm | 350μm±25μm |
| 500μm±15μm | 500μm±25μm |
| 3.3 | 主定位边方向 Primary Flat Orientation
| {10-10}±5° |
| 3.4 | 主定位边长度 Primary Flat Length | 47.5mm±2.0mm |
| 3.5 | 局部平整度 LTV | ≤2.5μm | ≤2.5μm | ≤5μm |
| 3.6 | 总厚度变化 TTV | ≤5μm | ≤5μm | ≤15μm |
| 3.7 | 弯曲度**值 BOW | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm |
| 3.8 | 翘区度 Warp | ≤25μm | ≤35μm | ≤60μm |
| 3.9 | 正面(硅面)粗糙度(AFM)Front (Si-face) Roughness | Ra≤0.1nm |
| 4.结构 Structure |
| 4.1 | 微管密度 Micropipe density | ≤0.1cm-2 | ≤0.2cm-2 | ≤15cm-2 |
| 4.3 | 螺位错 TSD | ≤200cm-2 | ≤500cm-2 | ≤1000cm-2 |
| 4.4 | 基平面位错 BPD | ≤400cm-2 | ≤800cm-2 | / |
| 4.5 | 刃位错 TED | ≤2000cm-2 | ≤4000cm-2 | / |
| 5.正面质量 Front Quality |
| 5.1 | 表面处理 Surface finish | CMP |
| 5.2 | 颗粒 Particle |
|
|
|
| 5.3 | 划痕 Scratches | None |
| 5.4 | 缺口/崩边/裂纹/疵点/沾污 Edge chips/indents/cracks/stains/contamination | None |
| 5.5 | 多晶型 Polytype areas | None | None | Cumulative area ≤3% |
| 5.6 | 正面激光标记 Front marking | / |
| 6.背面质量 Back Quality |
| 6.1 | 背面处理 Back finish | CMP |
| 6.2 | 背面划痕 Scaratches | None | None | Cumulative length ≤1x wafer diameter |
| 6.3 | 背面缺口/崩边 Back defects edge chip/indents | None |
| 6.4 | 背面粗糙度 Back roughness | Ra≤0.2 mm | Ra≤0.2 mm | Ra≤0.5 mm |
| 6.5 | 背面激光标记 Back marking | 距离边缘1mm ( from top edge) |
| 7.边缘轮廓 Edge |
| 7.1 | 边缘轮廓 Edge exclusion | 3 mm |
| 8.包装 Packaging |
| 8.1 | 激光标记 Laser Marking(carbon side) | Carbon face |
| 8.2 | 包装 Packaging | 单片或25片包装 |
| Notes: None means no request. |
问商家
- 6英寸SiC衬底片的工作原理介绍？
- 6英寸SiC衬底片的使用方法？
- 6英寸SiC衬底片多少钱一台？
- 6英寸SiC衬底片使用的注意事项
- 6英寸SiC衬底片的说明书有吗？
- 6英寸SiC衬底片的操作规程有吗？
- 6英寸SiC衬底片的报价含票含运费吗？
- 6英寸SiC衬底片有现货吗？
- 6英寸SiC衬底片包安装吗？
眉山博雅新材料股份有限公司为您提供博雅新材6英寸SiC衬底片，6英寸SiC衬底片产地为四川，属于碳化硅粉，除了6英寸SiC衬底片的参数、价格、型号、原理等信息外，还可为您提供平面产品、Er:YAG晶体、Yb:YAG固体激光介质。
