此款设备进料端配置对面双工位手套箱，手套箱内配置轨道及操作平台，方便载料管的运输和装料。升华机出料端配置双面四工位手套箱，手套箱内设置有轨道及升降操作平台方便取料、封装及运输手套箱可内衬四氟或喷涂特氟龙起到防腐作用，半导体材料升华仪根据材料升华温度、分子量的差异，对于材料进行提纯，参数准确，工艺可靠稳定，实验结果表明，单次升华可大幅度降低有机材料中的杂质金属离子浓度，将材料的纯度提升一至三个数量级。整个操作过程材料与大气隔绝，避免了大气中水、氧的影响以及灰尘的污染，是制备高纯度半导体前驱体及相关材料的最佳选择。 技术参数： 设备总长3800mm*1800mm*1850mm，炉体外壳采用镜面 SUS304 不锈钢。 石英外管尺寸：φ300X3000X5mm，高纯石英材质。 Max 加热温度：800℃；稳温精度：±1℃。 温区：8个温区，每个温区上下个两个控温点，共16个温控点 炉膛材质：进口氧化铝陶瓷纤维 炉膛尺寸分布：150+700+200+320+320+320+200+150mm 加热丝材质：进口Kanthal电阻丝 显示屏：22寸PC 极限真空（空态、常温）：5.0×10-5Pa 控制系统：全自动/半自动/手动 左端单工位手套箱连接左端法兰，长度： 1220mm；深度：750mm；高度： 900mm 右端对面双工位手套箱连接右端法兰，长度： 2440mm；深度：1000mm；高度： 900mm