设备特点

适合用于Low-k、氮化铝（AlN）、氧化铝陶瓷等材料的激光开槽

适合用于硅、砷化镓（GaAs）等材料，厚度200μm以下薄晶圆无崩边高品质全切

8/12英寸兼容，支持纳秒/皮秒

双路多beam并行加工

实现10-90µm开槽宽度连续可调

可加工20μm以内超窄切割道

整机精度：＜±2µm