电子束曝光指利用聚焦电子束在光刻胶上制造图形的工艺,是光刻工艺的延伸应用。电子束曝光系统是实现电子束曝光技术的硬件平台，系统的性能决定了曝光工艺关键尺寸、拼接和套刻精度等指标。

金竟科技完成了电子束曝光工艺和设备核心部件的技术突破，率先在中国推出自主创新、品质可控、性能优异的电子束曝光系统整机设备：Pharos 310。电子束曝光系统中多项关键技术指标达到国际一流水平，实现了电子曝光设备国产替代、自主可控的发展目标。

Pharos 310可在4寸基片上曝光<20nm关键特征尺寸。利用Pharos310系统可轻松曝光复杂版图，是实验室条件下进行亚微米至纳米级别光刻技术研发的利器。

电子束曝光系统应用领域

· 半导体制造：用于制造集成电路、芯片等半导体器件。

· 纳米技术研究：在纳米材料、纳米器件的研发中发挥重要作用。

· 光学领域：制作光子晶体、光波导、调制器、超表面等光学元件。

· MEMS（微机电系统）：制造纳米结构等。

· 生物芯片：用于生物芯片的制作。

· 材料科学：研究材料的表面性质、结构等。

· 量子技术：在量子计算、量子通信等领域的研究和开发中得到应用。

电子光学参数

· 电子发射源：采用肖特基发射源，使用寿命不低于1500小时

· 加速电压：200eV-30 keV

· 电子束束流：5pA-200nA

· 电子束束斑尺寸：≤2.0nm@30keV

· 写场速度：**可达到20MHz pixel frequency

· **写场尺寸：500μm×500μm

· 分辨率(*小线宽)：≤20nm*

· 拼接精度：≤±50nm(mean+3σ)

· 套刻精度：≤±50nm(mean+3σ)

· 样品台移动范围：100mm

· 可加工样品的**尺寸：4英寸晶圆

标准配置

· 采用激光干涉仪定位样品台

· 由送样开始至样品室真空达到可以工作的时间不多于10分钟

· 采用自动进样系统,进样过程中无需人为干涉,配置有光学导航系统

· 采用Windows操控系统，在硬件允许的情况下，终身免费升级

· 提供 UPS 不间断电源(一台)

· 具备主动-被动集成式减振系统,保证电子束曝光系统的整体稳定性。

*工艺：光刻胶PMMA950KA2；光刻胶厚度60nm