产品性能：

*工作温度：200～1200℃/2200℃

*结构方式：水平/垂直，片数：1/3/6/多片（科研/生产型）

*多温区，动态高精度生长条件控制

*低压、常压、微正压工艺方式，衬底片升降、旋转（厚膜/晶体生长）