晶片尺寸:4/6/8英寸

Nafer size: 4/6/8 inches

ウェーハサイズ：4/６/８インチ

制程温度范围:300-2200℃

Maximum heater temperature: 2200℃

プロセス温度範囲：300-2200℃

加热器**温度:2200℃

Maximum heater temperature: 2200℃

ヒーター**温度：2200℃

控温段数:多段控温

Number of temperature control sections:

multisections temperature control

温度制御セクション数：多段階温度制御

炉腔压力:10MPa(**)

Chamber pressure:10MPa(Maximum)

炉室圧力：10MPa(**)