该设备是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、 分立器件、电力电子、光电器件等行业的氧化、扩散、退火、合金等工艺。

晶片尺寸：6/8英寸

Wafer size: 6/8 inches 

ウェハーサイズ：6/8インチ

制程温度范围：300°C-1250°C

Process temperature range: 300°C-1250°C

プロセス温度範囲：300℃-1250℃

批次片数: 100-150片

Batch capacity: 100-150 pcs

バッチ数：100-150枚