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氮化镓(GaN)HVPE单晶生长设备 立式
报价:面议
品牌: 山东力冠
产地: 山东
关注度: 308
型号: 氮化镓(GaN)HVPE单晶生长设备 立式
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产品介绍

产品特点/Product Characteristics:

♦ 基础工艺包

Basic process package

1.氮化镓(GaN)单晶生长尺寸: 2英寸

Gallium nitride (GaN) single crystal growth size: 2 inches

2.单晶生长速率:≥50微米/小时

Single crystal growth rate:≥50 microns/hour

3.蓝宝石衬底外延生长氮化镓(GaN)单晶层厚度: < 200微米


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山东力冠微电子装备有限公司为您提供山东力冠氮化镓(GaN)HVPE单晶生长设备 立式,氮化镓(GaN)HVPE单晶生长设备 立式产地为山东,属于半导体行业专用仪器,除了氮化镓(GaN)HVPE单晶生长设备 立式的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供氮化镓(GaN)HVPE单晶生长设备 卧式、PECVD 设备 卧式、坩埚下降设备。
工商信息
企业名称

山东力冠微电子装备有限公司

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信用代码

91370105597048698M

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