产品特点/Product Characteristics：

♦ 基础工艺包

Basic process package

1.氮化镓(GaN)单晶生长尺寸: 2英寸

Gallium nitride (GaN) single crystal growth size: 2 inches

2.单晶生长速率:≥50微米/小时

Single crystal growth rate:≥50 microns/hour

3.蓝宝石衬底外延生长氮化镓(GaN)单晶层厚度: < 200微米