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赛默飞(原FEI)Helios 5 DualBeam FIB双束电镜新品
报价:面议
品牌: |
赛默飞世尔科技 |
产地: |
捷克 |
关注度: |
6812 |
型号: |
Helios 5 DualBeam FIB |
核心参数
加速电压:500 V – 30 kV
电子枪:见参数
电子光学放大:见参数
光学放大:见参数
分辨率:0.6 nm@15 keV、1.0 nm@1 keV
探测器:见参数
产品介绍
新一代的赛默飞世尔科技 Helios 5 DualBeam 具有 Helios 5 产品系列业界**的高性能成像和分析性能。它经过精心设计,可满足材料科学研究人员和工程师对*广泛的 FIB-SEM 使用需求,即使是**挑战性的样品。
Helios
5 DualBeam 重新定义了高分辨率成像的标准:**的材料对比度,*快、*简单、*精确的高质量样品制备,用于 S/TEM
成像和原子探针断层扫描(APT)以及**质量的亚表面和 3D 表征。在 Helios DualBeam 系列久经考验的性能基础上,新一代的
Helios 5 DualBeam 进行了改进优化,所有这些都旨在确保系统处于手动或自动工作流程的**运行状态。
半导体行业技术参数:
<
| Helios 5 CX | Helios 5 HP | Helios 5 UX | Helios 5 HX | Helios 5 FX |
| 样品制备与 XHR 扫描电镜成像 | *终样品制备 (TEM薄片,APT) | STEM 亚纳米成像与样品制备 |
SEM | 着陆电压 | 20 eV~30 keV | 20 eV~30 keV |
分辨率 | 0.6 nm@15 keV | 0.6 nm@2 keV |
|
|
1.0 nm@1 keV | 0.7 nm@1 keV |
|
|
| 1.0 nm@500 eV |
STEM | 分辨率@30 keV | 0.7 nm | 0.6 nm | 0.3 nm |
FIB制备过程 | **材料去除束流 | 65 nA | 100 nA | 65 nA |
*终**抛光电压 | 2 kV | 500 V |
TEM样品制备 | 样品厚度 | 50 nm | 15 nm | 7 nm |
自动化 | 否 | 是 | 是 |
样品处理 | 行程 | 110×110 ×65 mm | 110×110 ×65 mm | 150×150 ×10 mm | 100×100 ×20 mm | 100×100×20mm+5轴(S)TEM Compustage |
快速进样器 | 手动 | 自动 | 手动 | 自动 | 自动+自动插入/提取STEM 样品杆 |
材料科学行业技术参数:
<
|
| Helios 5 CX | Helios 5 UX |
离子光学 |
| 具有**的大束流性能的Tomahawk HT 离子镜筒 | 具有**的大束流和低电压性能的Phoenix 离子镜筒 |
离子束电流范围 | 1 pA – 100 nA | 1 pA – 65 nA |
加速电圧 | 500 V – 30 kV | 500 V – 30 kV |
**水平视场宽度 | 在束重合点处为0.9 mm | 在束重合处点为0.7 mm |
离子源寿命 | 1,000 小时 | 1,000 小时 |
| 两级差分抽吸 | 两级差分抽吸 |
飞行时间校准 | 飞行时间校准 |
15孔光阑 | 15孔光阑 |
电子光学 | Elstar超高分辨率场发射镜筒 | Elstar超高分辨率场发射镜筒 |
磁浸没物镜 | 磁浸没物镜 |
高稳定性肖特基场发射枪提供稳定的高分辨率分析电流 | 高稳定性肖特基场发射枪提供稳定的高分辨率分析电流 |
电子束分辨率 | **工作距离下 | 0.6 nm @ 30 kV STEM | 0.6 nm @ 30 kV STEM |
0.6 nm @ 15 kV | 0.7 nm @ 1 kV |
1.0 nm @ 1 kV | 1.0 nm @ 500 V (ICD) |
0.9 nm @ 1 kV 减速模式* |
|
在束流重合点 | 0.6 nm @ 15 kV | 0.6 nm @ 15 kV |
1.5 nm @ 1 kV 减速模式* 及 DBS* | 1.2 nm @ 1 kV |
电子束参数 | 电子束流范围 | 0.8 pA ~ 176 nA | 0.8 pA ~ 100 nA |
加速电压范围 | 200 V ~ 30 kV | 350 V ~ 30 kV |
着陆电压 | 20 eV ~ 30 keV | 20 eV ~ 30 keV |
**水平视场宽度 | 2.3 mm @ 4 mm WD | 2.3 mm @ 4 mm WD |
探测器 | Elstar 镜筒内 SE/BSE 探测器 (TLD-SE, TLD-BSE) |
Elstar 镜筒内 SE/BSE 探测器 (ICD)* |
Elstar 镜筒内 BSE 探测器 (MD)* |
样品室内 Everhart-Thornley SE 探测器 (ETD) |
红外相机 |
高性能离子转换和电子探测器 (SE)* |
样品室内 Nav-Cam 导航相机* |
可伸缩式低电压、高衬度、分割式固态背散射探测器 (DBS)* |
可伸缩STEM 3+ 探测器* |
电子束流测量 |
样品台和样品 | 样品台 | 高度灵活的五轴电动样品台 | 压电陶瓷驱动 XYR 轴的高精度五轴电动工作台 |
XY | 110 mm | 150 mm |
Z | 65 mm | 10 mm |
R | 360° (连续) | 360° (连续) |
倾斜 | -15° ~ +90° | -10° ~ +60° |
**样品高度 | 与优中心点间隔 85 mm | 与优中心点间隔 55 mm |
**样品质量 | 样品台任意位置 500 g | 样品台任意位置 500 g |
0° 倾斜时** 5 kg |
**样品尺寸 | 直径 110 mm可沿样品台旋转时 | 直径 150 mm可沿样品台旋转时 |
| 优中心旋转和倾斜 | 优中心旋转和倾斜 |
更易于使用:
Helios 5 对所有经验水平用户而言都是*容易使用的 DualBeam 系统。操作人员培训可以从几个月缩短到几天,其系统设计可帮助所有操作人员在各种高级应用程序上实现一致、可重复的结果。
提高了生产率:
Helios 5 和 AutoTEM 5 软件的先进自动化功能,增强的可靠性和稳定性允许无人值守甚至夜间操作,显著提高样品制备通量。
改善时间和结果:
Helios
5 DualBeam 引入全新精细图像调节功能 FLASH (闪调)技术。借助 FLASH
技术,您只需在用户界面中进行简单的鼠标操作,系统即可“实时”进行消像散、透镜居中和图像聚焦。自动调整可以显著提高通量、数据质量并简化高质量图像的采集。平均而言,FLASH
技术可以使获得优化图像所需的时间*多缩短 10 倍。
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北京欧波同光学技术有限公司为您提供赛默飞世尔科技赛默飞(原FEI)Helios 5 DualBeam FIB双束电镜,赛默飞(原FEI)Helios 5 DualBeam FIB双束电镜产地为捷克,属于扫描电镜,除了赛默飞(原FEI)Helios 5 DualBeam FIB双束电镜的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供Ares 60A全自动精密金相切割机、赛默飞(原FEI)透射电镜 Talos F200X S/TEM、赛默飞(原FEI)Apreo 2 超高分辨场发射扫描电镜。
工商信息
信用代码9111 0101 695 015 46XA