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参考报价：电议 型号：VCVD
产地：湖南 在线咨询
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立式化学气相沉积炉（沉积炭）可用于以碳氢气体（如C3H8、CH4等）为碳源的材料表面或基体等温CVD/CVI处理。
☆ 采用多温区独立控温，温度均匀性好；
☆ 采用特殊结构沉积室，密封效果好，抗污染能力强；
☆ 采用多通道沉积气路，流场均匀，无沉积死角，沉积效果好；
☆ 对炭沉积过程中产生的焦油、固体粉尘、有机气体等能进行有效处理。
| 参数\型号 | VCVD-0305-C | VCVD-0608-C | VCVD-0812-C | VCVD-1120-C | VCVD-1320-C | VCVD-1520-C |
| 工作区尺寸D×H（mm） | Φ300×500 | Φ600×800 | Φ800×1200 | Φ1100×2000 | Φ1300×2000 | Φ1500×2000 |
| **温度（℃） | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 |
| 温度均匀性（℃） | ±5/±10 | ±7.5/±10 | ±7.5/±15 | ±10/±15 | ±10/±15 | ±10/±20 |
| 极限真空度（Pa） | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 |
| 压升率（Pa/h） | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 |
| 加热方式 | 电阻/感应 | 电阻/感应 | 电阻/感应 | 电阻/感应 | 电阻/感应 | 电阻/感应 |
| 参数\型号 | VCVD-1822-C | VCVD-2032-C | VCVD-2632-C | VCVD-3338-C | VCVD-3344-C |
| 工作区尺寸D×H（mm） | Φ1800×2200 | Φ2000×3200 | Φ2600×3200 | Φ3300×3800 | Φ3300×4400 |
| **温度（℃） | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 |
| 温度均匀性（℃） | ±15 | ±15 | ±15 | ±20 | ±20 |
| 极限真空度（Pa） | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 |
| 压升率（Pa/h） | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 |
| 加热方式 | 电阻 | 电阻 | 电阻 | 电阻 | 电阻 |
以上参数可根据工艺要求进行调整，不作为验收依据，具体以技术方案和协议为准。
☆ 炉门：丝杆升降/液压升降/手动升降；旋转移开/平行移开（大尺寸炉门）；手动锁紧/自动锁圈锁紧
☆ 炉壳：全碳钢/内层不锈钢/全不锈钢
☆ 炉胆：软碳毡/软石墨毡/硬质复合毡/CFC
☆ 加热器、马弗：等静压石墨/模压三高石墨/细颗粒石墨
☆ 工艺气路系统：体积/质量流量计；手动阀/自动阀；进口/国产
☆ 热电偶：K分度号/N分度号/C分度号/S分度号
