产品名称

中文名称: 机械剥离氧化硅/硅基底二硫化钨

英文名称：Mechanical exfoliation WS2 on SiO2/Si

性质

形态：薄膜

参数

基底：二氧化硅/硅

氧化层：300nm

基底尺寸：10 mmx10 mm

WS₂面积：>10 μm²

应用

先丰纳米**推出机械剥离制备的二硫化钨，该类材料具有缺陷少，优异的光学性质，可以研究层数和荧光效应，此外，由于保持了原有晶格结构，所以该类材料是制备器件的理想材料。