HRHC-BSiC3N/4N/5N 系列 β 相高纯碳化硅粉 立方 3C-SiC 烧结陶瓷・半导体基材专用

产品介绍

本品为 β 相（3C 立方晶型）高纯碳化硅粉，SiC 纯度覆盖 3N~5N（99.9%~99.999%），颗粒呈类球形形貌，结晶完整性好、粒度分布窄、含氧量低，具备高导热、高硬度、耐高温、耐腐蚀特性。β 相碳化硅相比 α 相烧结活性更强，适合低温常压烧结制备碳化硅陶瓷构件，适配半导体陶瓷、MEMS 器件、高温防护涂层、复合材料增强相等场景。

市场主流走量粒度为 D50=1μm、3μm、10μm，其中 D50=10μm 为**出货规格；β 相粉体主流需求为微米级细粉，粒度分布窄、团聚少，便于制备高致密碳化硅陶瓷构件。粉体纯度、粒径、杂质指标均可按客户要求定制，支持小样送检、批量稳定供货。

产品特点

1. β 相（3C 立方）高纯 SiC 粉体，类球形颗粒，烧结活性优异，易于致密化烧结；

2. 纯度等级 3N/4N/5N 可选，严控金属杂质，5N 品级适配半导体高端场景；

3. 主流规格 D50=1μm、3μm、10μm，粒度分布集中，可定制纳米及其他微米粒度；

4. 耐高温、高热导、耐酸碱腐蚀，用于 SiC 烧结陶瓷、MEMS、高温涂层、复合材料增强相；

5. 可配套提供元素检测报告，粒度、纯度、杂质按需定制，支持小样验证，批量交付。