导体产业是当今现代科技发展的驱动力，它依赖于毫不妥协的计量精度。器件的质量和性能与纳米结构关键尺寸（CD）的测量和分析精度密切相关。

在此背景下，原子力显微镜 (AFM) 已成为一项不可或缺的技术，能够提供纳米尺度下表面形貌的详细信息。然而，要充分利用 AFM 数据，需要功能强大且适配的软件，将原始数据转化为可操作的洞察。Digital Surf 的 Mountains® 软件正是为此而生，它为半导体领域中 CD 的精确高效分析提供了一套全面且高性能的解决方案。

尝试使用 Mountains® 关键维度分析工具分析您的数据

关键尺寸的精确计算

对半导体沟槽和复杂结构进行表征是一项重大挑战。测量精度至关重要，因为台阶高度、顶部和底部宽度、侧壁角度和间距的精确测定直接影响器件的质量和可靠性。

Mountains® 软件提供专门用于 CD 分析的工具，确保精确确定粗糙度、曲率和结构尺寸等关键参数。

图 1 显示了波导图案的原子力显微镜 (AFM) 图像及其对应的关键尺寸 (CD) 分析结果。本例中测量的关键尺寸包括沿两个图案的平均沟槽深度、宽度和侧壁角度。此外，两个沟槽之间的间距也通过自动测量确定。

图 1 波导的关键尺寸分析——沟槽深度和宽度、侧壁角度和间距的确定。

CD分析自动化

原子力显微镜 (AFM) 产生的大量数据需要功能强大的分析工具，能够快速处理和解读信息。Mountains® 软件通过一系列旨在优化分析工作流程每个步骤的功能来应对这些挑战，这些功能可以实现自动化，从而批量处理数据集。

硅光子学中的表面粗糙度分析

对于图案化硅的特性表征和优化，尤其是在硅光子学应用中，表面粗糙度分析是对关键尺寸测量的补充。

这些器件中较高的粗糙度值会导致光散射，从而对效率产生负面影响。因此，包含硅和光刻胶的样品必须具有较低的粗糙度值，特别是 Sq 值低于 1 nm，其中硅预计是更光滑的组分。如图 2 所示，分析表明硅的表面更光滑，其粗糙度 (Sq) 为 0.480 nm，而光刻胶的粗糙度为 0.756 nm，这与预期相符。形貌分析表明存在与抛光硅不符的粗糙度异常，这可能是由于存在污染物所致。

图 2 硅/光刻胶复合材料样品的表面粗糙度表征。

用于批量数据分析和合规性的高级功能

Mountains® 软件还提供高级统计数据分析功能，可以识别趋势和变化，从而确保严格的质量控制。

生成定制报告有助于记录和交流结果，这在半导体行业至关重要，因为可追溯性和符合标准是重中之重。

使用的仪器和软件

原子力显微镜和 MountainsSPIP® 软件