在半导体行业，对纳米结构进行精确表征对于确保器件性能和可靠性至关重要。在众多关键参数中，线边缘粗糙度（LER）和线宽粗糙度（LWR）在工艺控制中起着至关重要的作用。

扫描电子显微镜 (SEM) 被广泛用于检测这些差异，但有效利用 SEM 图像需要先进的分析工具。Mountains® 软件提供了一种专用解决方案，可进行精确、自动化且稳健的 LER 测量，确保无论加速电压等成像条件如何，都能获得可靠的结果。

功能概述

Mountains® 中的 LER 分析工具可自动检测结构边缘并提取分析带，以计算线边缘粗糙度 (LER) 和线宽粗糙度 (LWR)，从而提供关于边缘和宽度变化的精确见解。

1. 边缘检测和 LER 计算

除了粗糙度参数外，该工具还会测量关键的水平尺寸，例如沟槽宽度和间距。

2. 水平关键尺寸特征

先进的检测算法确保稳健的轮廓提取，即使在不同的扫描电镜采集条件下也能保持准确性。

边缘提取和偏差映射

除了计算粗糙度参数外，该工具还支持精确的边缘提取，从而能够对图案偏差进行详细分析。通过分离结构轮廓，用户可以高精度地可视化边缘变化。

3. 偏差映射。为了便于解读，特意放大与理想边缘的差异，以便更好地观察。

这种增强型显示技术能够更轻松地检测可能影响半导体制造的异常情况。结合定量粗糙度测量，该可视化技术可以对生产线完整性和工艺稳定性进行全面评估。

实时处理和批量处理

Mountains® LER 工具的关键优势之一在于其实时处理能力，可在参数调整或新数据加载时立即更新结果。这种自动化流程确保了结果的可重复性，并最大限度地减少了人工干预错误以及操作人员的主观性。

Mountains® 提供强大的统计工具，用于研究 LER、LWR 和关键尺寸测量值的分布。这使得对工艺稳定性和变异性进行全面评估以及检测异常值成为可能。

使用的仪器和软件

扫描电子显微镜和 MountainsSEM® 软件