4英寸3C N型碳化硅衬底

产品介绍

3C N型SiC具有更高的电子迁移率（3C-SiC，1100 cm2/V∙s；4H-SiC，900 cm2/V∙s），同时由于3C-SiC具有更小的禁带宽度，可使器件在氧化层制备上具有更小的FN隧穿电流以及可靠性，能大幅度提高器件产品良率。

主要指标

晶型：3C     尺寸：50.8±0.38 mm              

厚度：350±25μm   微管密度：＜0.1 cm-2

电阻率≤0.0006 Ω∙cm