在第三代半导体、高端结构陶瓷、高导热基板及高纯冶金等关键领域，碳化硅粉体的纯度与氧含量，已成为决定材料最终性能的核心命脉。鬃晶科技聚焦高端 β‑SiC 粉体技术突破，凭借独创的合成与深度脱氧工艺，成功将 β‑SiC 微粉氧含量稳定控制在0.2% 以下，以极致纯净的粉体品质，破解高氧杂质带来的烧结缺陷、晶界弱化、性能衰减等行业痛点，为高端制造国产化提供核心原料支撑。

氧是 SiC 粉体中最难以控制的杂质之一，其主要以颗粒表面氧化层、晶界硅酸盐及游离 SiO₂形式存在。传统工业级 β‑SiC 粉体氧含量普遍在 1.0%~3.0%，高温烧结时易产生气相挥发、孔洞缺陷，形成低熔点玻璃相，大幅降低陶瓷致密度、高温强度、导热性能与绝缘性；在半导体领域，过量氧杂质还会引入深能级缺陷，影响单晶质量与器件可靠性。鬃晶科技通过精准调控反应气氛、优化粉体后处理工艺，实现从根源抑制氧化、深度脱除表面氧杂质，将氧含量降至 0.2% 超低水平，让粉体纯度与界面性能实现质的飞跃。

低至 0.2% 的氧含量，赋予鬃晶 β‑SiC 微粉无可替代的应用优势。在结构陶瓷领域，极低氧含量可有效避免高温气相反应，保障无压烧结与热压烧结过程致密化，制备出近全致密、高硬度、高耐磨、抗热震的 SiC 陶瓷部件，广泛应用于机械密封、高温轴承、防弹装甲等严苛工况；在高导热散热材料中，纯净无杂质晶界让热传导通路更顺畅，显著提升陶瓷基板导热系数，满足新能源汽车、光伏功率模块高效散热需求；在半导体场景，低氧 + 高纯度特性可减少杂质污染，降低单晶缺陷，适配高端制造的极致要求。

相较于普通陶瓷级 β‑SiC 粉体，鬃晶科技 0.2% 低氧产品兼具高纯度、窄粒径分布、低游离碳等优势，综合性能对标进口高端粉体，价格更具国产化竞争力，真正实现 “进口品质、国产成本”。依托稳定的规模化生产能力与严格的质量管控体系，公司可根据客户需求，提供不同粒径、纯度等级的定制化低氧 β‑SiC 微粉，满足科研小试、工业中试至大批量量产的全流程供应。

以技术突破定义行业标准，以极致纯净赋能高端应用。鬃晶科技 0.2% 低氧 β‑SiC 微粉，不仅是粉体氧含量控制的技术跨越，更是我国高端碳化硅材料自主可控的重要一步。未来，公司将持续深耕 SiC 粉体技术创新，不断优化工艺、提升品质，为第三代半导体、先进陶瓷、新能源等关键领域发展，提供更纯净、更可靠、更具性价比的核心原料解决方案。