鬃晶科技纯 3C 相（β 相）碳化硅纳米粉，3C 相含量＞99%，以超高纯相、纳米尺度、低氧高纯特性，实现结构与性能双重突破，成为第三代半导体、高端陶瓷、电子封装、热管理领域的核心材料。

一、晶相纯度：＞99% 纯 3C 相，性能极致均一

鬃晶科技突破晶相控制技术，3C 相纯度稳定大于 99%，无 α-SiC 杂相干扰。立方晶系各向同性结构，颗粒呈类球形、粒径分布窄，流动性、分散性、填充性远超普通 SiC 粉体。纳米级尺度（数十至百纳米）带来超大比表面积，表面活性强，为高致密烧结与均匀复合奠定基础。

二、烧结性能：低温高效、高致密度，工艺成本大幅降低

纯 3C 相纳米粉烧结活性显著优于 α-SiC，可低温烧结（较 α-SiC 低 100-300℃）、低助剂 / 无压烧结，致密度轻松达 98% 以上。鬃晶科技产品低氧含量（≤0.2%）有效抑制晶界 SiO₂玻璃相，高温强度、蠕变抗性、热稳定性大幅提升。等轴晶粒均匀生长，无择优取向与异常长大，陶瓷坯体缺陷少、组织均匀。

三、电学性能：各向同性、高迁移率，适配高端半导体

3C-SiC 为宽禁带半导体（~2.36eV），电学性能完全各向同性，无六方相晶向依赖性。电子迁移率高、击穿场强稳定、介电常数可控，载流子传输高效、损耗低。鬃晶科技高纯低氧特性（纯度≥99.9999%）避免杂质散射，绝缘 / 导电特性精准可调，适配功率器件、高频电路、电子封装等半导体场景。

四、热学性能：高导热、各向同性，极端工况稳定

热导率超 260W/mK 且完全各向同性，区别于 α-SiC 热导率各向异性。在电子散热、热管理材料中导热通道连续、热扩散均匀，散热效率显著提升。兼具超高热稳定性（＞2700℃）、低热膨胀系数、优异抗热震性，超高温、急冷急热环境下无相变、不开裂。

五、力学与化学：超硬耐磨、耐蚀稳定，服役寿命延长

莫氏硬度≈9.5，硬度与耐磨性优于 α-SiC，精密抛光效率高、表面光洁度好。纳米细晶强化与增韧效应，使烧结体强度、韧性、抗疲劳性同步提升。化学惰性极强，耐强酸强碱、抗氧化、抗腐蚀，低氧特性减少高温氧化损耗，腐蚀环境下寿命大幅延长。

六、应用价值：高端领域核心原料，突破进口垄断

• 半导体：SiC 单晶前驱体、功率器件、CMP 抛光液、电子封装填料

• 结构陶瓷：防弹陶瓷、耐磨部件、高温结构件，低温高致密、高强高韧

• 热管理：高导热复合材料、散热涂层，解决各向异性散热难题

• 新能源：锂电池负极、吸波材料、航空航天耐高温部件