第三代半导体碳化硅（SiC），凭借耐高压、耐高温、低损耗优势，成为新能源车车载电源、光伏逆变器、储能变流器的核心材料。国内多条 SiC 衬底产线持续扩产，从实验室研发走向大规模量产阶段。 很多人把目光聚焦单晶长晶设备，却容易忽略：衬底最后的 CMP 抛光，是决定后续外延质量，乃至芯片器件可靠性的关键一步。

碳化硅材料硬度极高、化学惰性强。普通研磨只能做到表面肉眼光亮，无法消除亚表面损伤、微观划痕、表面凹凸起伏。如果衬底抛光不达标，后续外延生长就会出现缺陷，直接造成功率器件漏电、击穿电压不达标，成品芯片直接报废。

CMP 化学机械抛光，依靠化学作用软化表层，配合磨料机械去除，实现晶圆全局纳米级平坦化，去除亚表面损伤层，是 SiC 衬底制造不可跳过的工序。 但 SiC 抛光门槛很高：磨料选型、抛光液 pH、颗粒分散性、抛光垫匹配、压力转速工艺组合，任何一个参数失衡，就会出现划痕、雾面、去除率不足等问题。长期以来，高端 SiC 抛光耗材市场主要由海外厂商主导。

随着国内产线大规模量产，供应链自主可控的需求愈发迫切。不只是简单实现 “能抛亮”，更要求批次一致性稳定、去除率可控、缺陷少，适配大尺寸衬底量产需求。

铭衍海微电子布局半导体 CMP 抛光耗材赛道，自产推出 MYH-APS120 氧化铝超精抛液等产品，面向硅晶圆、碳化硅衬底精抛场景，配套适配研磨垫，形成完整抛光工艺方案：

? 磨料颗粒分布可控，分散稳定性优异，减少团聚造成的表面划痕；

? 兼顾抛光去除速率与表面质量，降低亚表面损伤；

? 可根据客户衬底材质、设备条件，提供定制化配方与工艺调试支持；

? 国产源头供货，支持送样测试，助力半导体产线降本与供应链自主。

从长晶、切片、研磨，再到 CMP 抛光，衬底制造环环相扣。抛光不是收尾简单工序，而是芯片良率的 “守门员”。 第三代半导体国产替代不是单点突破，而是材料、耗材、工艺协同迭代。 无论是半导体衬底晶圆，还是光通信光纤器件，我们均可提供样品测试与工艺适配调试服务。 有打样、工艺咨询需求，欢迎随时联系铭衍海微电子。