铭衍海微电子（常州）有限公司深耕半导体精密抛光材料领域，自主研发的MYH-APS120氧化铝超精抛液，是针对芯片晶圆CMP精抛制程优化的专用精密耗材。芯片制造过程中，晶圆纳米级全局平坦化，是保障光刻、薄膜沉积、金属布线等核心工序稳定进行的关键前提，表面平整度与低缺陷表现，直接影响芯片良率与使用可靠性。本品专为半导体硬脆基材定制，适配硅晶圆、碳化硅、砷化镓衬底及钨、铜互连薄膜的精细平坦化加工，可有效修复粗抛残留的微观划痕、亚表面损伤与局部起伏，适用于各类芯片中段整平与后段超精抛工序。

相较于市面通用抛光材料，MYH-APS120在芯片精抛场景具备明显技术优势。产品采用电子级球形改性α-氧化铝磨料，稳定120nm精准粒径，搭配窄粒径分布体系，严格管控超大颗粒杂质，从源头减少晶圆缺陷。传统硅溶胶抛光液硬度偏低，针对硬质半导体衬底整平能力有限、去除速率较慢，难以彻底消除深层研磨损伤；普通氧化铝抛光液多为棱角颗粒，容易造成晶圆微划伤、晶格隐裂与介质层过度磨削。本品通过球形化改性工艺，研磨应力均匀柔和，在保证合理去除速率的同时，维持优异的表面精度，契合半导体精密质控要求。

产品搭载升级高分子分散缓冲体系，有效改善传统氧化铝浆料易沉降、易团聚、批次稳定性差的问题。成品浆料悬浮性优异，长期存放不易分层结块，上机抛光浓度均匀稳定，可有效控制单颗晶圆厚度偏差，降低批量加工粗糙度波动，适配半导体产线标准化、量产化的精密工艺管控。

本品采用半导体级纯水基配方，无重金属、无强腐蚀组分，化学性质温和，不会损伤芯片精密线路与介质薄膜。抛光后残留物易清洗，可简化后段清洗流程，符合洁净车间生产标准。产品兼容6–12英寸全自动CMP设备，支持循环过滤使用，可有效降低量产耗材成本。

MYH-APS120可广泛应用于功率半导体、存储芯片、再生晶圆等精密制程，可单独完成中段整平作业，也可搭配终端精抛浆料构建完整平坦化工艺。企业可根据不同基材、制程节点与设备参数进行配方微调，适配多场景精密抛光需求，是半导体CMP抛光领域高适配、高稳定性的国产替代耗材。