核心特征

产品杂质含量低、纯度高

球形度好、适用于干压、等静压成型

烧成密度高

行业现状

在半导体晶圆尺寸不断增大以及特征尺寸不断缩小的发展进程中，晶圆的污染问题越来越突出。而刻蚀机腔室材料作为晶圆的主要污染源之一，其耐等离子刻蚀性日益受到人们的关注。

在各类适配的陶瓷材料中，氧化钇(Y2O)凭借突出的综合性能脱颖而出。氧化钇属于立方晶系，熔点高达2430°C，兼具良好的电绝缘性与透光性。对比传统工艺制备的Al2O。陶瓷已经无法承受卤素类等离子体的刻蚀，难以满足大批量硅片生产的需求，而Y2O3又具有极好的化学稳定性和难浸蚀特性，所以Y2O3陶瓷作为半导体生产中的耐等离子体刻蚀材料备受关注。