主要技术指标

●靶材数量：2-4个

●基片尺寸：2-8英寸

●基片台转速：5-30rpm，转速连续可调

主要特点

●具有多个溅射靶，可沉积单层、多层薄膜、合金薄膜和掺杂薄膜；

●溅射方式：自下而上溅射、自上而下溅射可选；

●基片台可加热，可制备单晶薄膜；

●可选配辅助清洗离子源，有效提高薄膜的附着力；