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碳化硅SiC激光隐切设备

报价：面议

品牌：	晶瓴半导体
产地：	江苏
关注度：	42
型号：	碳化硅SiC激光隐切设备

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产品介绍

SiC晶体的切片方法有：砂浆线切割、金刚线切割，以及激光隐切。其中，激光隐切技术将高能量脉冲激光束聚焦在SiC晶体内部，在设定深度处形成微小裂纹，然后通过面内扫描形成一个裂纹层，*后沿着该裂纹层剥离出晶片。与传统线切割方法相比，激光隐切具有剥离速度快，切割损耗低，可切割超薄晶片，以及切割成本低等优点。随着SiC晶锭尺寸变大，尤其是8寸和12寸，激光隐切技术在SiC晶片加工中的优势更为明显。

空间光调制算法

任意加工深度的球差矫正；

可多束分光；

兼容SiC/GaN/Ga2O3/金刚石等多种材料

超快激光与光路

稳定可靠的光路结构；

7×24小时连续工作；

有效的温漂抑制与补偿

复合运动平台

可重复定位精度 < 1μm；

实时高度补偿；

融合激光控制与光谱成像

参数表

分类	项目	参数
外观	主机尺寸	1500(L) X 1300(W) X 1800(H)
	整机重量	~1.2T

基本参数与控制方法	可加工尺寸	12寸 / 8寸 / 6寸
	激光功率	0.5~50W
	脉冲激光器寿命	20000小时（正常工作时间）
	X/Y/Z轴行程	350mm/400mm/45mm
	Y轴速度、加速度	500mm/s / 4000mm/s²
	单片扫描时间	21min (6寸)；33min(8寸)；47min(12寸)
	测高精度	0.7μm
	聚焦深度控制	表面预扫描，加工时动态调整聚焦深度
	球差矫正深度	300μm / 350μm / 400μm / 450μm / 500μm / 550μm
	“小面”加工	“小面” 光谱成像，自动分区差异化加工
	晶体损耗	晶锭侧+晶片侧，总损耗厚度<100μm
厂务要求	总电源	220V，5kW，50Hz
	冷却水	压力：~0.1MPa；流量：~7L/min；温度：18~25℃
	压缩空气	压力：>0.45MPa；流量：<0.1L/min

选型

型号	可加工尺寸	价格（含税）	货期
L08	8寸/6寸/4寸	196万	1周
L12	12寸/8寸	199万	4周

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