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12 英寸硅单晶生长炉
报价:面议
品牌: 芯晖装备
产地: 浙江
关注度: 1266
型号: 12 英寸硅单晶生长炉
核心参数

非金属电热元件:其他

金属电热元件:其他

烧结气氛:其他

温控精度:±2.0

标签

粉体焙烧炉

12 英寸硅单晶生长炉

国产粉体焙烧炉

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产品介绍

技术参数

项目

参数

单位

XINHUI

晶棒长度

· 2100 

mm

 2100

晶棒直径

· 308 

mm

 ≥ 308

碳含量

· < 0.30 

ppma 

< 0.10

晶体

· COP ≥ 26nm (no pattern) 

>85



体金属

· Bulk Metal Cu

atom/cm3

≤ 1E11

· Bulk Metal Ni

 atom/cm3 

≤ 1E10

· Bulk Metal Fe

 atom/cm3

Ave ≤ 2E9;Max ≤ 1E10

          

 提拉轴与坩埚轴对中偏差

· 多次开合操作后

mm 

≤ ± 1

· 承载在0-400kg 范围内变化

mm 

≤ ± 1

液面位置跟踪控制精度

-

mm 

±0.2

晶体直径控制精度

-

mm 

±2.0

投料量(含二次加料)

-

KG 

> 400


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产品小贴士

12 英寸硅单晶生长炉由浙江芯晖装备技术有限公司提供,产地为浙江,属于国产粉体焙烧炉,符合多项国家和国际标准,广泛应用于石油/化工、建材/涂料/油漆、综合其他等领域,12 英寸硅单晶生长炉凭借其创新性与实用性,在粉体焙烧炉用户中获得广泛关注。

据中国粉体网显示:该产品已通过粉体网认证,在产品性能、服务能力等维度表现优异,用户平均评分达9.5(满分 10 分)。

根据官方产品资料显示:12 英寸硅单晶生长炉的非金属电热元件为其他,金属电热元件为其他,烧结气氛为其他,温控精度为±2.0,12 英寸硅单晶生长炉的品牌为芯晖装备。


官方链接:
https://m.cnpowder.com.cn/ns35673/productsdetail_377135.html
来源:浙江芯晖装备技术有限公司
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浙江芯晖装备技术有限公司为您提供芯晖装备12 英寸硅单晶生长炉,12 英寸硅单晶生长炉产地为浙江,属于粉体焙烧炉,除了12 英寸硅单晶生长炉的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供晶圆表面及边缘检测设备-SEDI、第三代半导体材料减薄设备、晶圆隐裂外观边缘检测设备-ADSE。
工商信息
企业名称

浙江芯晖装备技术有限公司

企业类型

信用代码

91330481MA2BA0DU3B

法人代表

注册地址

成立日期

注册资本

有效期限

经营范围

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