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12 英寸硅单晶生长炉
报价:面议
品牌: 芯晖装备
产地: 浙江
关注度: 12
型号: 12 英寸硅单晶生长炉
核心参数

非金属电热元件:其他

金属电热元件:其他

烧结气氛:其他

温控精度:±2.0

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产品介绍

技术参数

项目

参数

单位

XINHUI

晶棒长度

· 2100 

mm

 2100

晶棒直径

· 308 

mm

 ≥ 308

碳含量

· < 0.30 

ppma 

< 0.10

晶体

· COP ≥ 26nm (no pattern) 

>85



体金属

· Bulk Metal Cu

atom/cm3

≤ 1E11

· Bulk Metal Ni

 atom/cm3 

≤ 1E10

· Bulk Metal Fe

 atom/cm3

Ave ≤ 2E9;Max ≤ 1E10

          

 提拉轴与坩埚轴对中偏差

· 多次开合操作后

mm 

≤ ± 1

· 承载在0-400kg 范围内变化

mm 

≤ ± 1

液面位置跟踪控制精度

-

mm 

±0.2

晶体直径控制精度

-

mm 

±2.0

投料量(含二次加料)

-

KG 

> 400


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浙江芯晖装备技术有限公司为您提供芯晖装备12 英寸硅单晶生长炉,12 英寸硅单晶生长炉产地为浙江,属于粉体焙烧炉,除了12 英寸硅单晶生长炉的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供晶圆表面及边缘检测设备-SEDI、300mm硅片抛光设备、晶圆边缘检测设备-EDI。
工商信息
企业名称

浙江芯晖装备技术有限公司

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