SAB8210CW是一款全自动C2W混合键合设备，既可以使用有图案芯片进行C2W混合键合，实现Cu-Cu高密度互联；也可以使用无图案的裸芯片进行C2W亲水性键合，形成重组晶圆后，再进行后续的芯片图案化。

• 项目

  指标

• TF工位

  2

• FOUP工位

  2

• 键合压力范围

  1~300N

• 键合后精度

  ≤±500nm@片间同轴对准
  ≤±200nm@红外穿透对准

• Chip尺寸

  5*8mm—50*50mm（红外穿透对准，Tape Frame形式上料）
  0.5*0.5mm—50*50mm（片间同轴对准，Tape Frame形式上料）

• Wafer尺寸

  Φ200mm、Φ300mm

• UPH

  400~2000UPH（单键合头）

• 工艺能力

  Cu-SiO₂，混合键合;Cu/SiCN 混合键合

• 多模块一体化集成

  活化、清洗、解UV、芯片拾取、对准、键合、检测