SAB6100是一款专为半导体及异质材料键合设计的研发型设备，采用常温键合技术，在超高真空下实现材料表面原子级活化与直接键合，无需加热即可形成高强度共价键。设备兼容全尺寸及不规则形状样品，可选配独立镀膜腔体，工艺稳定且产能高效。

• 全尺寸兼容键合

• 适用于不同尺寸样品的键合需求，包含不规则形状样品；

• 冷泵超快抽真空

• 设备主腔体配备冷泵，实现快速超高真空环境，且有效减少水汽对键合的影响；

• 离子源活化与纳米薄膜原位沉积

• 采用稳定离子源高效清洁表面氧化物及污染物，并可轰击靶材实现纳米级薄膜溅射沉积；

• 倒置防尘键合

• 样品运动过程中键合面朝下，有效减少particle对键合的影响；

规格参数

• 项 目

  指 标

• 晶圆尺寸

  ≤12inch, 向下兼容不规则形状样品

• 适配材料

  Si, LT/LN, Sapphire, InP, SiC, GaAs, GaN, Diamond, Glass etc.

• 上料模式

  手动上料

• 加压系统**压力

  80kN

• 表面处理方式

  原位活化与溅射沉积

• 溅射靶材

  ≥3个，可旋转

• 键合强度

  ≥2.5J/m²@常温(Si-Si、玻璃-玻璃键合)