热膨胀系数

(45−75)×10−7/K(45−75)×10−7/K 

这是*关键参数之一。 较低的CTE使其能与多种金属（如科瓦合金4J29的~49×10−7/K49×10−7/K）和陶瓷良好匹配，抗热震性能优异。具体值取决于B₂O₃和ZnO的含量。

玻璃化转变温度

450°C-550°C

玻璃开始从固态向粘弹态转变的温度，决定了材料的*低加工起始温度。

软化点

550°C-650°C

玻璃开始显著流动的温度，是封接或烧结工艺的核心参考温度。此配方设计实现了相对较低的软化点。

密度

3.0-3.5g/cm³

由于含有大量原子量大的钡（Ba），密度高于普通钠钙玻璃（~2.5g/cm³）。

折射率

1.55-1.65

较高的折射率，主要得益于BaO的贡献。这使其在涂层中具有高光泽度和良好的遮盖力。

莫氏硬度

5-6

属于中等硬度，作为填料或釉料时，能提供不错的耐磨性。

体积电阻率

> 1012 Ω⋅cm

优秀的电绝缘体，在高温和潮湿环境下仍能保持良好的绝缘性能。

介电常数

6-10

在射频和微波频率下具有相对稳定的介电性能，适合电子封装应用。

导热系数

~1.0W/(m·K)

典型的玻璃态低导热率，可作为隔热填料或封接材料。

频率控制器件

石英晶体谐振器、振荡器（XO、VCXO、TCXO等）

提供长期稳定的气密环境，保障频率精度与长期可靠性，是5G基站、车载时脉的关键。

光电子与半导体

半导体激光器（LD）、LED、光电探测器

实现芯片与管壳的稳定、低应力固晶与密封，保障光功率与寿命。

特种真空器件

航天继电器、真空电容、传感器

在金属-陶瓷或金属-玻璃间形成高强度、真空气密封接界面。

先进电路

陶瓷封装集成电路、厚膜混合电路（HIC）

作为绝缘介质层或盖板封接材料，实现多层布线间的可靠隔离与保护。