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氮化镓高压助熔剂晶体生长设备
报价:面议
品牌: 晶升电子
产地: 山东
关注度: 52
型号: 氮化镓高压助熔剂晶体生长设备
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产品介绍

简介 : 1.Na助溶剂液相外延生长2-4 英寸GaN晶片,也可用于高压助熔剂法探索新型氮化物晶体。 2.助熔剂法(Na FLUX METHOD)生长氮化镓(GaN)单晶具有诸多优势是目前国际上公认的可实现高质量、大尺寸氮化镓体单晶产业化生产的生长技术之一。 3.双温区加热,**使用温度1000°C,**压力9 Mpa。 4.氮气溶解速度快,分布均匀,生长速度可达30 微米/小时。 5.可外延生长 

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工商信息
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山东晶升电子科技有限公司

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91370102MA3NC9K27N

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