产品描述：SiC晶圆腐蚀后的位错检测设备。设备采用微分干涉相差的光学显微成像技术，可进行全片扫描并采集完整数据，计算并自动统计位错数量与密度，生成位错密度图。

产品参数：

应用范围：SiC衬底切割片、研磨片、抛光片的位错检测分析(经KOH腐蚀)

可测晶片尺寸：标准4,6,8英寸及其它非标尺寸