直径

25.4 ± 0.3 mm

50.8 ± 0.5 mm

厚度

450 ± 30μm

450 ± 30μm

生长方式

MPCVD

正面状态

Polished,Ra＜ 1.0 nm

反面状态

Polished; Grinding

热膨胀系数

1.3 (10-6K-1)

热导率

1000-2000W/m.K

总厚度偏差TTV

≤5 mm

≤10 mm

边缘去除

≤3 mm

晶体结构

立方晶体

禁带宽度(eV)

5.47eV

熔点（℃）

4027℃

莫氏硬度(mohs)

10

热导率(W·cm^-1·℃^-1)

20W·cm^-1·℃^-1

热膨胀系数(℃^-1)

0.8×10^-6

晶格常数(nm)

0.3567

电子迁移率（cm^-2·V^-1·s^-1）

1600

击穿电场(MV·cm^-1)

10

JFM指数（power）

5330

BFM指数(SW)

14860

BHFM指数(RF)

1080

折射率

2.417