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常规砷化镓
报价:面议
品牌: 晶沐光电
产地: 江苏
关注度: 41
型号: 常规砷化镓
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产品介绍

介绍砷化镓(GaAs)是一种III-V族化合物半导体,具有直接能隙(1.43 eV)、高电子迁移率和优异的高频特性。其高速、低噪声和抗辐射性能使其成为微波射频、光电子和功率器件的重要材料。

应用:砷广泛用于射频和微波器件,如5G通信芯片、雷达系统和卫星通信设备。它还应用于光电子领域,如激光器、光探测器和高效太阳能电池,适用于高速光通信和航天应用。

产品规格书


⠀⠀

砷化镓单晶衬底晶片(2~8inch )

直径

50.8mm

76.2mm

100mm

150mm

200mm

厚度

350μm

350μm

350μm

675μm

675μm

表面晶向

(100) 15.0˚± 1.0˚ off toward (111)

<100>±1.0°

主定位边晶向

EJ<0-1-1>±1.0°

主定位边长度

12mm

22mm

32mm

Notch

Notch

次定位边晶向

EJ<0-1 1>±1.0°

N/A

N/A

次定位边长度

7mm

12mm

18mm

N/A

N/A

正面状态

Epi-polished

反面状态

SSP:Etched; DSP:Epi-polished

总厚度偏差TTV

≤10μm

≤10μm

≤15μm

≤20μm

≤30μm

弯曲度BOW

≤12μm

≤15μm

≤20μm

≤25μm

≤40μm

翘曲度WARP

≤15μm

≤20μm

≤25μm

≤30μm

≤60μm

边缘去除

≤3 mm

应用

LED应用

LD激光应用

半导体,微电子芯片

导电类型

N-Ttpe

N-Ttpe

Insulating

掺杂元素

Si-doping

Si-doping

Undoped

电阻率

(1~9)E-3ohm-cm

(1~9)E-3ohm-cm

>1E7ohm-cm

位错密度(EPD)

<5000/cm2

<500/cm2

<5000/cm2

载流子浓度(CC)

(0.4~5)E18/cm3

(0.4~2.5)E18/cm3

N/A

电子迁移率(Mobility)

>1000cm2/v.s

>1500cm2/v.s

>4000cm2/v.s



产品性能表


砷化镓单晶衬底晶片(2~8inch )

晶体结构

立方晶体

禁带宽度(eV)

1.42eV

熔点(℃)

1238℃

莫氏硬度(mohs)

5.6

热导率(W·cm-1·℃-1)

0.55W·cm-1·℃-1

热膨胀系数(℃-1)

5.8×10-6

晶格常数(nm)

a=0.5652

电子迁移率(cm-2·V-1·s-1

8500

击穿电场(MV·cm-1)

4

JFM指数(power)

11

BFM指数(SW)

28

BHFM指数(RF)

16

折射率

3.24~3.33


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