1 年

高级会员

已认证

常规硅片
报价:面议
品牌: 晶沐光电
产地: 江苏
关注度: 40
型号: 常规硅片
展位推荐
更多  
产品介绍

介绍:硅片的原始材料是高纯度的多晶硅,经过一系列复杂的加工工艺,包括晶体生长、研磨、抛光、切片等步骤后形成,以满足半导体芯片制造的要求。

应用:硅片广泛用于集成电路(IC)、功率半导体、传感器和光电子器件,是半导体行业的核心材料。它支撑了智能手机、计算机、5G通信、新能源汽车、工业控制等领域的发展。随着先进封装和硅光子技术的进步,硅片在高性能计算(HPC)和光通信中发挥着重要作用。

产品规格书


⠀⠀

单晶硅衬底(2~12英寸)

直径

50.8mm

76.2mm

100mm

150mm

200mm

300.mm

厚度

400μm

400μm

500μm

625μm

725μm

775μm

表面晶向

<100>   ∣   <111>    ∣    <110>

生长方式

CZ  ∣  FZ

掺杂类型

N-type(Si-doping/As-doping/Sb-doping)

P-type(B-Doping)

Intrinsic

定位边晶向

16mm

22mm

32.5mm

47.5mm

Notch

Notch

电阻率

0.001-0.005ohm-cm

1-100ohm-cm

>10000ohm-cm

正面状态

Epi-polished,Ra<0.5nm

反面状态

SSP:Etch; DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm

总厚度偏差TTV

≤8μm

≤10μm

≤10μm

≤20μm

≤30μm

≤30μm

弯曲度BOW

≤10μm

≤12μm

≤15μm

≤25μm

≤40μm

≤45μm

翘曲度WARP

≤12μm

≤15μm

≤20μm

≤30μm

≤60μm

≤60μm

边缘去除

≤2 mm

≤3 mm


产品性能表


单晶硅 Si

Growth Method
生长方式

CZ/FZ

Crystal Structure
晶体结构

Diamond

Lattice Constant(nm)
晶格常数

a=5.4305Å

Density(g/cm3)
密度

2.329

Melting point
熔点(℃)

1410℃

Mohs Hardness(mohs)
莫氏硬度

7

Dielectric Constant
介电常数

11.8

Band Gap(eV)
禁带宽度

1.1

Breakdown Electrical Field ((MV/cm))
击穿电场

0.3

Thermal Conductivity(n-type)(W/cm.K )
热导率(导电型)

1.48

Electron Mobility(cm2·V-1·s-1)
电子迁移率

1480

热膨胀系数

2.6×10^-6 /℃

折射率

3.5


问商家
相关产品
更多  
碳化硅陶瓷载盘

型号: 碳化硅陶瓷载盘

面议
碳化硅基氮化镓外延HEMT

型号: 碳化硅基氮化镓外延HEMT

面议
碳化硅外延P-Type

型号: 碳化硅外延P-Type

面议
图形化衬底PSS

型号: 图形化衬底PSS/NPSS

面议
推荐产品 供应产品
江阴晶沐光电新材料有限公司为您提供晶沐光电常规硅片,常规硅片产地为江苏,属于碳化硅粉,除了常规硅片的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供图形化衬底PSS、导电特殊晶型、蓝宝石基氮化镓外延HEMT。
工商信息
企业名称

江阴晶沐光电新材料有限公司

企业类型

信用代码

法人代表

注册地址

成立日期

注册资本

有效期限

经营范围

分类

留言咨询

留言类型

需求简述

联系信息

联系人

单位名称

电子邮箱

手机号

图形验证码

点击提交代表您同意《用户服务协议》《隐私协议》