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氮化镓单晶衬底
报价:面议
品牌: 晶沐光电
产地: 江苏
关注度: 46
型号: 氮化镓单晶衬底
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产品介绍

介绍:氮化镓(GaN)是氮和镓的化合物,是一种III和V的直接能隙的半导体。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特。具有高热导率、高击穿电压、高效率,适合高性能电子和光电子应用。

应用:用于高端激光芯片等;应用于激光显示技术,如家庭影院、商业投影、AR/VR设备、车载显示等;用于5G通信基站、卫星通信、雷达系统等高频高功率场景。紫外探测器、高亮度LED、高效率功率转换器、电动汽车充电器等。

产品规格书


⠀⠀

氮化镓单晶衬底(2~4英寸)

直径

50.8 mm

76.2mm

100mm

厚度

400μm

450μm

450μm

端面晶向

(0001) ± 0.2°Ga face

斜切角(C偏M)

0.5°C-plane off angle toward M-axis

斜切角(C偏A)

0.0°C-plane off angle toward A-axis

主定位边晶向

M-plane (10-10) ± 2.0˚

主定位边长度

16mm

22mm

32mm

次定位边晶向

Ga face up: 90.0˚ CW from Primary ± 5.0˚

次定位边长度

8mm

11mm

18mm

正面状态

≤ 0.3 nm(10μm ×10μm)

反面状态

Polished; Etched

镭刻码面

Back side:N-Face

总厚度偏差TTV

≤15μm

≤25μm

≤30μm

弯曲度BOW

≤20μm

≤30μm

≤40μm

翘曲度WARP

≤30μm

≤45μm

≤60μm

边缘去除

≤5 mm


电学参数

掺杂元素

电阻率

/

Semi-Insulating (Carbon)

≥1E8 ohm-cm

/

N-type (Silicon)

≤0.02 ohm-cm

/

UID(Undoped)

≤0.2 ohm-cm

/


产品性能表



氮化镓单晶衬底(2~4英寸)

晶体结构

六方晶体

禁带宽度(eV)

3.45eV

熔点(℃)

2400℃

莫氏硬度(mohs)

9.5

热导率(W·cm-1·℃-1)

1.3W·cm-1·℃-1

热膨胀系数(℃-1)

αa=5.6×10-6
αc=3.2×10-6

晶格常数(nm)

a=0.3189
c=0.5185

电子迁移率(cm-2·V-1·s-1

900

击穿电场(MV·cm-1)

4.9

JFM指数(power)

790

BFM指数(SW)

910

BHFM指数(RF)

100


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