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氮化镓单晶衬底
报价:面议
品牌: |
晶沐光电 |
产地: |
江苏 |
关注度: |
46 |
型号: |
氮化镓单晶衬底 |
产品介绍
介绍:氮化镓(GaN)是氮和镓的化合物,是一种III和V的直接能隙的半导体。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特。具有高热导率、高击穿电压、高效率,适合高性能电子和光电子应用。
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应用:用于高端激光芯片等;应用于激光显示技术,如家庭影院、商业投影、AR/VR设备、车载显示等;用于5G通信基站、卫星通信、雷达系统等高频高功率场景。紫外探测器、高亮度LED、高效率功率转换器、电动汽车充电器等。
产品规格书
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氮化镓单晶衬底(2~4英寸) |
直径 | 50.8 mm | 76.2mm | 100mm |
厚度 | 400μm | 450μm | 450μm |
端面晶向 | (0001) ± 0.2°Ga face |
斜切角(C偏M) | 0.5°C-plane off angle toward M-axis |
斜切角(C偏A) | 0.0°C-plane off angle toward A-axis |
主定位边晶向 | M-plane (10-10) ± 2.0˚ |
主定位边长度 | 16mm | 22mm | 32mm |
次定位边晶向 | Ga face up: 90.0˚ CW from Primary ± 5.0˚ |
次定位边长度 | 8mm | 11mm | 18mm |
正面状态 | ≤ 0.3 nm(10μm ×10μm) |
反面状态 | Polished; Etched |
镭刻码面 | Back side:N-Face |
总厚度偏差TTV | ≤15μm | ≤25μm | ≤30μm |
弯曲度BOW | ≤20μm | ≤30μm | ≤40μm |
翘曲度WARP | ≤30μm | ≤45μm | ≤60μm |
边缘去除 | ≤5 mm |
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电学参数 | 掺杂元素 | 电阻率 | / |
Semi-Insulating (Carbon) | ≥1E8 ohm-cm | / |
N-type (Silicon) | ≤0.02 ohm-cm | / |
UID(Undoped) | ≤0.2 ohm-cm | / |
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产品性能表
氮化镓单晶衬底(2~4英寸) |
晶体结构 | 六方晶体 |
禁带宽度(eV) | 3.45eV |
熔点(℃) | 2400℃ |
莫氏硬度(mohs) | 9.5 |
热导率(W·cm-1·℃-1) | 1.3W·cm-1·℃-1 |
热膨胀系数(℃-1) | αa=5.6×10-6 αc=3.2×10-6 |
晶格常数(nm) | a=0.3189 c=0.5185 |
电子迁移率(cm-2·V-1·s-1) | 900 |
击穿电场(MV·cm-1) | 4.9 |
JFM指数(power) | 790 |
BFM指数(SW) | 910 |
BHFM指数(RF) | 100 |
问商家
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