直径

50.8 mm

76.2mm

100mm

厚度

400μm

450μm

450μm

端面晶向

（0001） ± 0.2°Ga face

斜切角（C偏M）

0.5°C-plane off angle toward M-axis

斜切角（C偏A）

0.0°C-plane off angle toward A-axis

主定位边晶向

M-plane (10-10) ± 2.0˚

主定位边长度

16mm

22mm

32mm

次定位边晶向

Ga face up: 90.0˚ CW from Primary ± 5.0˚

次定位边长度

8mm

11mm

18mm

正面状态

≤ 0.3 nm(10μm ×10μm)

反面状态

Polished; Etched

镭刻码面

Back side：N-Face

总厚度偏差TTV

≤15μm

≤25μm

≤30μm

弯曲度BOW

≤20μm

≤30μm

≤40μm

翘曲度WARP

≤30μm

≤45μm

≤60μm

边缘去除

≤5 mm

电学参数

掺杂元素

电阻率

/

Semi-Insulating (Carbon)

≥1E8 ohm-cm

/

N-type (Silicon)

≤0.02 ohm-cm

/

UID（Undoped）

≤0.2 ohm-cm

/

晶体结构

六方晶体

禁带宽度(eV)

3.45eV

熔点（℃）

2400℃

莫氏硬度(mohs)

9.5

热导率(W·cm^-1·℃^-1)

1.3W·cm^-1·℃^-1

热膨胀系数(℃^-1)

α_a=5.6×10^-6
α_c=3.2×10^-6

晶格常数(nm)

a=0.3189
c=0.5185

电子迁移率（cm^-2·V^-1·s^-1）

900

击穿电场(MV·cm^-1)

4.9

JFM指数（power）

790

BFM指数(SW)

910

BHFM指数(RF)

100