型号

4H-N导电型 ∣ 4H-HPSI高纯半绝缘型

类型

晶锭与晶棒

晶片

异形规格

尺寸规格案例1

4英寸*T10mm晶棒

2英寸*T3.0mm厚片

碳化硅圆环方块

尺寸规格案例2

6英寸*T20mm晶棒

2英寸*T0.1mm超薄

碳化硅眼镜光学镜片

尺寸规格案例3

8英寸*T20mm晶棒

3英寸*T5.0mm厚片

碳化硅打孔

尺寸规格案例4

2~8寸晶锭

6英寸*T1.0mm厚片

碳化硅激光切割

尺寸规格案例5

晶棒抛光

直径159*T0.725mm载片

碳化硅雕刻

表面状态

切割

研磨

抛光

晶体结构

六方晶体

禁带宽度(eV)

3.26eV

熔点（℃）

2730℃

莫氏硬度(mohs)

9.2

热导率(W·cm^-1·℃^-1)

4.9W·cm^-1·℃^-1

热膨胀系数(℃^-1)

4.7×10^-6

晶格常数(nm)

a=0.3076 c=0.5048

电子迁移率（cm^-2·V^-1·s^-1）

720^a 650^c

击穿电场(MV·cm^-1)

3.1

JFM指数（power）

410

BFM指数(SW)

290

BHFM指数(RF)

34

折射率

2.6767～2.6480