产品特性

产品概述

镓仁半导体可提供高质量氧化镓专用长晶设备

技术参数

晶体生长炉设备指标

**工作温度：1820℃；

高温工作气氛：大气环境（O2浓度 ≈ 21%）；

连续工作时长：≥100h ，确保完成一炉晶体生长；

晶体生长段温度梯度：≈10 ℃/cm；

晶体生长速度：0.2 ~ 4 mm/h。

高温工艺段控温精度：≤ ±0.2 ℃

全温度段控温精度：≤ ±0.3 ℃