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氧化镓专用晶体生长设备
报价:面议
品牌: 杭州镓仁
产地: 浙江
关注度: 286
型号: 氧化镓专用晶体生长设备
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产品介绍

产品特性

产品概述

镓仁半导体可提供高质量氧化镓专用长晶设备

技术参数

晶体生长炉设备指标

**工作温度:1820℃;

高温工作气氛:大气环境(O2浓度 ≈ 21%);

连续工作时长:≥100h ,确保完成一炉晶体生长;

晶体生长段温度梯度:≈10 ℃/cm;

晶体生长速度:0.2 ~ 4 mm/h。

高温工艺段控温精度:≤ ±0.2 ℃

全温度段控温精度:≤ ±0.3 ℃


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杭州镓仁半导体有限公司为您提供杭州镓仁氧化镓专用晶体生长设备,氧化镓专用晶体生长设备产地为浙江,属于半导体行业专用仪器,除了氧化镓专用晶体生长设备的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供氧化镓籽晶、2英寸氧化镓衬底片、4英寸氧化镓衬底。
工商信息
企业名称

杭州镓仁半导体有限公司

企业类型

信用代码

91330109MABYC2XJ4Y

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