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磷化铟单晶生长炉
报价:面议
品牌: 育豪微电子
产地: 山东
关注度: 298
型号: 磷化铟单晶生长炉
核心参数

非金属电热元件:其他

金属电热元件:其他

烧结气氛:其他

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产品介绍

一、设备概述:

主要应用于 3-6 英寸磷化铟、磷化镓III-V 族化合物半导体晶体材料单晶生长工艺,自动控制系统。

 

二、设备参数类型:

设备性能指标

1

操作方式

手动

2

管路数

1管

3

加工晶圆尺寸

4-6寸

4

适用工艺

单晶生长

5

工艺温度范围

800-1250℃

6

恒温区长度

300-800mm

7

控温精度

±0.2℃/>1280℃恒温区内

8

单点温度稳定性

±0.2℃

9

温度校准功能

具有预先写入偏差值快速拉温区功能

10

进出料方式

手动

11

控温模式

Spike控温

12

控温点数

4-6点

13

真空机组:

直连泵

14

系统极限真空度:

<10Pa 

25

抽速:

抽至极限真空时间<10Min。

16

高压腔设计压力

5MPa

17

工作压力范围:

10 mTorr~500mTorr可调

18

控制系统结构

一体工控机+PLC

19

报警保护:

具有超温报警,超压报警,断偶报警,气体互锁,气体缓启动等功能


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青岛育豪微电子设备有限公司为您提供育豪微电子磷化铟单晶生长炉,磷化铟单晶生长炉产地为山东,属于粉体焙烧炉,除了磷化铟单晶生长炉的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供磷化铟多晶合成炉、立式LPCVD低压气相沉积炉、在线式连续真空炉。
工商信息
企业名称

青岛育豪微电子设备有限公司

企业类型

信用代码

91370214679063197B

法人代表

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成立日期

注册资本

有效期限

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