青岛育豪微电子设备有限公司
  • 育豪微电子
    参考报价:电议
    型号:磷化铟单晶生长炉
    产地:山东
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  • 详细介绍:


    一、设备概述:

    主要应用于 3-6 英寸磷化铟、磷化镓III-V 族化合物半导体晶体材料单晶生长工艺,自动控制系统。

     

    二、设备参数类型:

    设备性能指标

    1

    操作方式

    手动

    2

    管路数

    1管

    3

    加工晶圆尺寸

    4-6寸

    4

    适用工艺

    单晶生长

    5

    工艺温度范围

    800-1250℃

    6

    恒温区长度

    300-800mm

    7

    控温精度

    ±0.2℃/>1280℃恒温区内

    8

    单点温度稳定性

    ±0.2℃

    9

    温度校准功能

    具有预先写入偏差值快速拉温区功能

    10

    进出料方式

    手动

    11

    控温模式

    Spike控温

    12

    控温点数

    4-6点

    13

    真空机组:

    直连泵

    14

    系统极限真空度:

    <10Pa 

    25

    抽速:

    抽至极限真空时间<10Min。

    16

    高压腔设计压力

    5MPa

    17

    工作压力范围:

    10 mTorr~500mTorr可调

    18

    控制系统结构

    一体工控机+PLC

    19

    报警保护:

    具有超温报警,超压报警,断偶报警,气体互锁,气体缓启动等功能