化合物晶体材料设备主要应用于：GaAs砷化镓、InP磷化铟、等III-V 族化合物晶体材料的生长、合成、脱氧等工艺，可实现 VGF/VB 工艺联合生长，晶体生长尺寸：2-6英寸。

单质晶体材料设备主要应用于高纯锌、镉、锑、碲、铟、锡、锗、镓等相关半导体材料的提纯、蒸馏、精馏、升华区熔等工艺。