技术优势

   晶体利用率高，成本低  品质达到P-MOS级

   采用PVT长晶法

   籽晶粘结成功率接近100% 

   平均生长速度0.13-0.16mm/h 

   长晶良率高于行业水平

   加工良率达到90%

   有效的降低了单片成本。

   SiC 晶锭一致性非常优秀  

   晶片表面粗糙度0.075纳米